bóng chân không
bóng bán dẫn
mạch tích hợp (vừa và nhỏ, lớn, rất lớn, siêu lớn)
nằm trong giai đoạn 1
chương trình lưu trong bộ nhớ
máy tính IAS
4 thành phần: MM, ALU (hệ 2) , CU, I/O
sử dụng bóng bán dẫn
nhỏ hơn, rẻ hơn, ít tản nhiệt hơn
có ngôn ngữ chương trình bậc cao
mạch tích hợp (tích hợp rất nhiều bóng bán dẫn trong 1 con chip)
dựa vào số lượng bóng bán dẫn để chia mức độ, quy mô
1965
số lượng transistors trên 1 con chip tăng gấp đôi mỗi 18 tháng
tạo từ bóng bán dẫn
1970
đọc k phá hủy
dung lượng tăng, chạy nhanh
thời đầu thì giá cao
chip đơn lớn nhất hiện tại 1T
gom bit để chuyển
phần nguyên thì gom từ phải
phần thập phân thì gom từ trái
1+1=0 (nhớ 1)
0 - 1 =1 (mượn 1)
bit đầu thể hiện dấu, 1 là âm, 0 là dương
n-1 bit còn lại thể hiện giá trị
32 bit
1 - 8 - 23 s - e - m dấu mũ định trị
nếu m còn dư bit thì thêm 0 vào sau
e =E+127
m là phần thập phân của M
công thức xác định giá trị số thực
X= (-1)^S * 1.m * 2^(e-127)
x+(y.z)=(x+y).(x+z)
x+1=1
x. x bù =0
x+x=x
x*x=x
x+x.y=x
x.(x+y)=x
x + (bù x *y)=x+y
x nhân (bù x +y)=x nhân y
x.y +bù x .z +y.z=x.y+bù x .z
bù tổng là tích
bù tích là tổng
= 0 nếu mọi số =1
=1 nếu tồn tại 1 số =0
đối với cổng NAND,
1 NAND →NOT, 2 NAND →AND, 3 NAND→OR
đối với cổng NOR
1 NOR → NOT, 2 NOR →OR, 3 NOR →AND
từ dung lượng tìm số bit
lấy dung lượng bộ nhớ chia cho số bit 1 từ →số từ
→ số bit địa chỉ là số mũ của số từ
từ số địa chỉ từ →dung lượng
2 mũ số địa chỉ từ ra số từ
số từ *số bit mỗi từ →dung lượng
từ dung lượng ra số địa chỉ từ
log2(dung lượng)
từ số địa chỉ từ ra dung lượng
dung lượng = 2 mũ (số địa chỉ từ)
thanh ghi đặc biệt (có giá trị sẵn)
PC: bộ đếm chương trình
IR
MAR
MBR
I/O AR
I/O BR
thanh ghi chung (lưu giá trị tạm thời)
đọc, ghi bộ nhớ
nhập xuất dữ liệu
xử lý dữ liệu
điều khiển (nhảy, rẽ nhánh, kiểm tra)
ngắt cứng (phần lớn) (do TBNV) (không báo trước)
ngắt mềm (do chương trình) (không báo trước)
ngắt khác (báo trước)
Ngắt tuần tự
Ngắt ưu tiên
đọc
ghi
nhập dl
xuất dl
I/O với bộ nhớ
bus dl: truyền dl →quyết định tốc độ
bus địa chỉ: truyền địa chỉ →dl bộ nhớ tối đa mà máy tính có thể truy cập
control lines
dedicated: riêng biệt
multiplexed: dùng chung
centralized: tập trung (chỉ 1 bộ abiter)
distributed: phân tán (mỗi thiết bị 1 abiter)
bus abiter: điều khiển, phân quyền sử dụng bus
Opcode (mã hoạt động) (luôn có)
Địa chỉ toán hạng nguồn
địa chỉ toán hạng đích
địa chỉ của câu lệnh tiếp theo mà nó thực hiện (nằm trong nhóm lệnh control)
không phải câu lệnh nào cx chứa đủ
bộ nhớ
I/O device
thanh ghi
immediate
xử lý dữ liệu (+-x:, and or xor not…)
lưu trữ dữ liệu
di chuyển dl (làm việc với I/O nhập xuất)
điều khiển
immediate (0 truy cập bộ nhớ, 0 truy cập thanh ghi)
direct (1 truy cập bộ nhớ, 0 truy cập thanh ghi)
indirect (2 truy cập bộ nhớ, 0 truy cập thanh ghi)
mode thanh ghi (0 truy cập bộ nhớ, 1 truy cập thanh ghi)
mode thanh ghi gián tiếp (1 truy cập bộ nhớ, 1 truy cập thanh ghi)
displacement (hằng số + nội dung thanh ghi) (1 truy cập bộ nhớ)
implicit (0 truy cập bộ nhớ)
immediate
thanh ghi
direct
thanh ghi gián tiếp
indirect
lưu trạng thái kết quả của CPU sau khi thực hiện mỗi lệnh
mỗi cờ 1 bit, tập trung tất cả vào 1 thanh ghi
các loại cờ:
Sign: 1 nếu là số âm
Zero: 1 nếu kết quả là 0
Carry: 1 nếu có nhớ ra ngoài
Equal: nếu ss hai số = nhau thì 1
overflow: 1 nếu + số bù 2 k đủ bit
Harry- carry
tăng tốc độ xử lý mà không đụng đến phần cứng
có n câu lệnh, pp p bước thì tổng có p+n-1 bước
có n câu lệnh, p bước, k pp thì có p*n bước
trường hợp ss pp và k pp mà k thay đổi CPI, f thì sẽ là (p*n)/(p+n-1) và khi n rất lớn thì đáp án tới p
trường hợp có thay đổi: (CPI_KPL x fPL / CLP_PL x f_KPL).
rủi ro về tài nguyên: có 2 hay nhiều lệnh truy cập vào tài nguyên phần cứng (CPU, bộ nhớ, I/O, bus) cùng một lúc →giải quyết: dời
rủi ro về dữ liệu: xảy ra khi câu lệnh sau cần dùng kết quả của câu lệnh trước nhưng khi cần dùng thì câu lệnh trước chưa có kết quả → giải quyết : dời
rủi ro về điều khiển: là rủi ro khi trong CT có lệnh nhảy hoặc lệnh rẽ nhánh (gọi CT con, vòng lặp) → do thực hiện pp nên sẽ có 1 số câu lệnh k mong muốn đc thực hiện → giải quyết: sau kiểm tra mới pp
địa điểm: trong - ngoài
dung lượng: word - byte
đơn vị truy cập: từ - block
truy cập tuần tự (băng cát sét)
truy cập trực tiếp (theo từng file, từng thư mục) (phần cứng)
truy cập random: truy cập ngẫu nhiên theo từng byte, từng từ (bộ nhớ trong)
Associative: truy cập kết hợp (cache)
thời gian truy cập: từ lúc gửi yêu cầu cho đến lúc nhận lại được dl
khoảng thời gian giữa hai lần truy cập lt lớn hơn rất nhiều tgian truy cập vì còn đợi bộ nhớ reset
tốc độ dữ liệu truyền bit/s, byte/s
bộ nhớ bán dẫn (SSD, RAM,ROM, thẻ nhớ)
bộ nhớ từ
bộ nhớ quang
bộ nhớ quang - từ
volatile: khi mất nguồn là mất dữ liệu (RAM)
non volatile: khi mất nguồn k mất dữ liệu (ổ chứng, CD, DVD)
erasable: có thể ghi nội dung mới vào (RAM, ổ cứng, thẻ nhớ)
nonerasable: không thể ghi nội dung mới vào (RAM)
thanh ghi
cache (chia thành 2)
bộ nhớ chính
đĩa từ
magnetic type
càng xuống dưới càng xa CPU, tốc độ giảm dần, dung lượng tăng dần
tốc độ truy cập nhanh, giá cao hơn
dung lượng lớn hơn, giá thành nhỏ hơn (cost per bit)
dung lượng càng lớn, thời gian truy cập càng chậm
• Tăng công suất • Tăng thời gian truy cập • Giảm chi phí trên mỗi bit • Giảm tần suất truy cập của bộ nhớ của bộ xử lý
tốc độ truy cập cao, nằm giữa CPU và bộ nhớ chính
không cần qua ht bus
CPU truy cập cache theo hình thức ngẫu nhiên
cache hit: khi CPU cần và từ đó có trong cache
cache miss: khi CPU cần và từ đó không có trong cache thì cache ra bộ nhớ chính lấy, mỗi lần lấy 1 block (truy cập kết hợp)
CPU tới cache: nhanh
cache tới MM: theo từng block, chậm
thường xuyên ít được sử dụng: LFU →cache hit tương đối cao
LRU: ít được sử dụng →cache hit cao nhất
FIFO
random →cache hit thấp nhất
write through: mỗi lần CPU ghi dl vào cache đều cập nhật ra bộ nhớ chính
write back: CPU ghi 2 lần liên tiếp vào 1 line thì dl cũ được lưu vào MM →được dùng nhiều hơn
cờ Dirty: line đó đang lưu dl chưa được lưu vào MM
thành phần cơ bản: tế bào nhớ (lưu trữ 1 bit)
địa chỉ cần đọc, tín hiệu đọc : đọc
địa chỉ cần ghi, tín hiệu ghi, dl cần ghi: ghi
PROM: lập trình được 1 lần = công cụ của nsx
EPROM: ghi dl vào đc, xóa đc và xóa = tia cực tím. Muốn ghi 1 byte/1 từ thì cx phải xóa hết con chip
EEPROM: đắt nhất, chứa hệ điều hành trong đth thông minh, xóa = xung điện. Muốn xóa 1 byte/ 1 từ thì xóa cái đó thôi
Flash Memory: nằm trong thẻ nhớ, xóa = xung điện, xóa theo từng khối
ROM
giống: DRAM, SRAM mất nguồn →mất dl
DRAM:
1 tế bào nhớ gồm 1 bóng bán dẫn và 1 tụ điện (bit 0, bit 1)
vẫn có khả năng bị mất dl dù đang có nguồn (do tụ điện)
cơ chế làm tươi dl
dl của DRAM lớn hơn
SRAM
1 tế bào nhớ gồm 4,6 bóng bán dẫn
tốc độ truy cập nhanh hơn
giá cao hơn
hamming error correcting code: chỉ dùng được trong trường hợp 1 lỗi
C = log2D +1
C: check bits
D: data bits
C= log2D+2
tổng số bit 1 là chẵn
DED: có lỗi mà bit tổng không đổi → có 2 lỗi
ổ từ: HDD: lớp tráng là lớp từ
ổ cứng: hình tròn, 1 chồng ổ đĩa chồng lên nhau
quay mới hoạt động được
đàu đọc/ghi: đi đường thẳng, di chuyển giữa các track thì bk là đường đi lớn nhất
sectors: đơn vị đọc/ghi của ổ cứng
thời gian tìm: tgian để đầu ghi tới đúng track
rotational delay: tgian để ổ đĩa quay để tới đúng sectors
accesstime = tgian tìm +rotational delay
transfer time: thời gian để đọc/ghi
head motion
fixed head: mỗi track 1 đầu đọc riêng
movable head
Disk portability
không thể tháo trời trong khi đang hoạt động
có thể……………….
dùng nhiều ổ đĩa cùng 1 lúc →tăng dl, tăng tốc độ truy cập, sửa lỗi, back up dl
có 7 bậc RAID
striping: lưu dl trải dài, level O, yêu cầu N đĩa, không cso back up
mirroring: đắt nhắt, an toàn nhất, level 1, yêu cầu 2N đĩa, có back up
parallel access: level 2,3; 1 ứng dụng có thể truy cập nhiều ổ. Level 2 yêu cầu N+m, m=log2N +1 để sửa lỗi, level 3 yêu cầu N+1 đĩa
independent access: nhiều ứng dụng có thể truy cập cùng 1 lúc nhưng mỗi ứng dụng 1 đĩa, level 4,5,6. Level 4,5 yêu cầu N+1 đĩa. Level 6 yêu cầu N+2 đĩa. Level 5,6 không lưu tập trung 1 ổ mà dàn trãi trên tất cả
flash- memory based SSD
NOR flash memory
đọc, ghi theo byte
NAND flash memory
đọc ghi theo từng block nhỏ, dùng trong usb, memory card, ssds
làm bằng nhựa, tráng lớp bảo vệ
dùng tia sáng để ghi dl
DL DVD cao hơn CD
dùng bước sóng khác nhau để ghi → DL khác nhau → giá khác nhau
các thanh ghi
bộ nhớ trong
bộ nhớ ngoài
giao tiếp với bộ xử lý
giao tiếp với TBNV
đệm dl
control and timing
kiểm tra, phát hiện lỗi trong quá trình giao tiếp của hai bên
có hỗ trợ DMA, ngoài giao tiếp với CPU, module I/O còn giao tiếp với bộ nhớ
lệnh ktra
lệnh đk
lệnh đọc
lệnh ghi
bản đồ bộ nhớ: I/O như 1 ô nhớ trong bộ nhớ để đánh địa chỉ
Isolated I/O: I/O tách biệt
dùng 1 vùng nhớ riêng biệt (đánh địa chỉ cho I/O riêng biệt, k liên quan đến bộ nhớ)
cần có lệnh đọc ghi bộ nhớ và đọc ghi I/O riêng biệt
programmed I/O: dùng trong các máy không có ngắt
CPU phải giám sát hoàn toàn các hoạt động của TBNV
gây lãng phí việc sử dụng CPU
Interrupt -driven I/O: sử dụng trong những ht có ngắt, TBNV làm xong thì báo về = 1 cái ngắt, CPU không cần chờ, có thể làm những tác vụ khác
DMA: cho phép module I/O truy cập trực tiếp bộ nhớ, không cần thông qua CPU nhưng vẫn có 1 module hỗ trợ riêng DMA control
không có module I/O
programmed I/O
ngắt I/O
DMA
module I/O mạnh như 1 bộ xử lý
module I/O mạnh như 1 máy tính
nhiều bộ xử lý
ht đa bộ xử lý đối xứng
các bộ xử lý có cấu hình, chức năng giống hệt nhau
các bộ xử lý dùng chung bộ nhớ và các TBNV
có thể có bộ nhớ đệm tiêng