Thẻ ghi nhớ: ELC201 | Quizlet

Once the dc Q-point is determined using load-line analysis, the diode can be replaced by its ______ equivalent for those operating conditions.

A. AC resistance

B. Dynamic resistance

C. DC resistance

D. Ideal model

✅ Đáp án đúng: B. Dynamic resistance

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Sau khi xác định DC Q-point bằng load-line analysis, ta biết được dòng và điện áp DC qua diode.

Ở vùng lân cận điểm Q, khi phân tích tín hiệu nhỏ, diode được mô hình hoá bằng điện trở động – dynamic resistance.

Dynamic resistance còn gọi là small-signal resistance, ký hiệu r_d.

🔑 Keywords (English)

Q-point (Quiescent point) – điểm làm việc tĩnh

Load-line analysis – phân tích đường tải

Dynamic resistance (r_d) – điện trở động

Small-signal model – mô hình tín hiệu nhỏ

Semiconductor materials have a ______ temperature coefficient because their conductivity increases with heat.

A. Positive

B. Zero

C. Negative

D. Infinite

✅ Correct Answer: C. Negative

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Semiconductors (chất bán dẫn) như Silicon và Germanium có conductivity (độ dẫn điện) tăng khi temperature (nhiệt độ) tăng.

Khi nhiệt độ tăng → có nhiều charge carriers (hạt tải điện) hơn → dẫn điện tốt hơn.

Điều này nghĩa là điện trở giảm khi nhiệt độ tăng → hệ số nhiệt của điện trở phải là negative temperature coefficient (NTC).

🔑 Keywords (English)

Semiconductor – chất bán dẫn

Temperature coefficient – hệ số nhiệt

Negative temperature coefficient (NTC) – hệ số nhiệt âm

Conductivity increases with heat – độ dẫn tăng khi nhiệt tăng

What is the typical range of current gain β for BJTs?

A. 1-10

B. 50-200

C. 500-1000

D. > 2000

✅ Correct Answer: B. 50–200

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Hệ số khuếch đại dòng β (beta) của BJT (Bipolar Junction Transistor) thường nằm trong khoảng 50 đến 200 với hầu hết transistor thông dụng.

Một số loại đặc biệt có thể cao hơn, nhưng typical range (dải điển hình) là 50–200.

🔑 Keywords (English)

BJT (Bipolar Junction Transistor) – transistor lưỡng cực

Current gain β (beta) – hệ số khuếch đại dòng

Typical β = 50–200 – giá trị beta điển hình

What is the typical forward voltage for a BJT's base-emitter junction?

A. 1.2 V

B. 0.7 V

C. 0.3 V

D. 2.5 V

✅ Correct Answer: B. 0.7 V

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Mối nối base–emitter (BE junction) của BJT kiểu Silicon (Si) hoạt động giống như một diode Si.

Vì vậy khi phân cực thuận, điện áp rơi điển hình là:≈ 0.7 V

Nếu là transistor Germanium (Ge), khi đó mới rơi vào khoảng 0.3 V, nhưng đề không đề cập → mặc định Silicon.

🔑 Keywords (English)

BJT (Bipolar Junction Transistor) – transistor lưỡng cực

Base–Emitter junction – mối nối B–E

Forward voltage (V_BE(on)) ≈ 0.7 V – điện áp thuận điển hình ~0.7V

Silicon transistor – transistor Silicon

What is a key advantage of FET amplifiers compared to BJT amplifiers?

A. Lower input impedance

B. Higher voltage gain

C. High input impedance

D. Higher power consumption

✅ Correct Answer: C. High input impedance

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

FET (Field-Effect Transistor) có input impedance rất cao vì cực Gate gần như không tiêu thụ dòng (chỉ có dòng rò rất nhỏ).

Trong khi đó BJT có base current → input impedance thấp hơn nhiều.

Đây là ưu điểm lớn nhất của FET khi so với BJT.

🔑 Keywords (English)

FET amplifier – bộ khuếch đại dùng FET

High input impedance – trở kháng đầu vào cao

Gate current ≈ 0 – dòng vào cực Gate gần như bằng 0

BJT vs FET – so sánh transistor lưỡng cực và transistor hiệu ứng trường

What is a key advantage of BiFET and BiMOS differential amplifiers compared to BJT versions?

A. Lower input impedance

B. Higher power consumption

C. Significantly higher input impedance

D. Lower voltage gain

✅ Correct Answer: C. Significantly higher input impedance

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

BiFET = Bipolar + FET

BiMOS = Bipolar + MOSFET

Hai loại mạch khuếch đại này kết hợp đầu vào FET/MOSFET → dẫn đến input impedance rất lớn, cao hơn nhiều so với mạch dùng BJT ở đầu vào.

Đây là ưu điểm chính: giảm dòng vào, ít tải nguồn, phù hợp mạch đo chính xác.

🔑 Keywords (English)

BiFET amplifier – khuếch đại lai BJT + FET

BiMOS amplifier – khuếch đại lai BJT + MOSFET

Higher input impedance – trở kháng vào cao hơn nhiều

Low input current – dòng vào rất nhỏ

What is a key advantage of active filters over passive filters?

A. Can provide voltage gain

B. Typically larger and heavier

C. Limited to low frequencies

D. Require bulky inductors

✅ Correct Answer: A. Can provide voltage gain

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Active filters dùng op-amps + R + C, không cần cuộn cảm → có thể khuếch đại tín hiệu (voltage gain).

Passive filters chỉ có R, L, C, không thể khuếch đại → chỉ suy giảm (attenuate).

Đây là ưu điểm lớn nhất của bộ lọc chủ động: filter + amplification cùng lúc.

🔑 Keywords (English)

Active filter – bộ lọc chủ động

Passive filter – bộ lọc thụ động

Voltage gain – khuếch đại điện áp

No inductors required – không cần cuộn cảm

What is a key characteristic of the Common-Gate configuration's input impedance?

A. Very high input impedance

B. Medium input impedance

C. Very low input impedance

D. Infinite input impedance

✅ Correct Answer: C. Very low input impedance

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Trong cấu hình Common-Gate (CG) của MOSFET/FET:

Input tại Source,

Gate được nối mass (grounded gate).

Vì dòng đi vào Source gây ra điện áp thay đổi nhỏ → dẫn đến input impedance rất thấp.

Điều này trái ngược với:

Common-Source → high input impedance

Common-Gate → low input impedance

🔑 Keywords (English)

Common-Gate (CG) – cấu hình gate chung

Input impedance – trở kháng đầu vào

Very low input impedance – trở kháng vào rất thấp

Source input – đầu vào đặt ở cực Source

What is the symbol for an n-channel JFET?

A. Arrow out from gate

B. Arrow in to gate

C. Arrow on drain

D. No arrow

✅ Correct Answer: A. Arrow out from gate

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Với JFET, mũi tên luôn nằm trên cổng Gate (không phải Source hay Drain).

Quy ước chiều mũi tên:

N-channel JFET → arrow pointing out (mũi tên hướng ra)

P-channel JFET → arrow pointing in (mũi tên hướng vào)

Mũi tên thể hiện chiều dòng từ P → N (dòng quy ước), nên với kênh N, dòng đi từ Gate sang kênh, tức là hướng ra.

🔑 Keywords (English)

JFET (Junction Field-Effect Transistor) – transistor hiệu ứng trường có tiếp giáp

N-channel JFET symbol – ký hiệu JFET kênh N

Arrow out – mũi tên hướng ra

Gate terminal – cực G

What is the region to the left of the pinch-off point on a JFET's output characteristics called?

A. Saturation region

B. Cutoff region

C. Breakdown region

D. Ohmic region

✅ Correct Answer: D. Ohmic region

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Đặc tuyến đầu ra của JFET có các vùng:

Ohmic region → vùng tuyến tính, trước điểm pinch-off

Saturation region → sau pinch-off (Id gần như không đổi)

Cutoff region → khi V_GS ≤ V_GS(off)

Breakdown region → điện áp quá lớn gây phá hủy

Vùng bên trái pinch-off chính là vùng Ohmic (Linear region), nơi JFET hoạt động giống như một điện trở điều khiển được.

🔑 Keywords (English)

Ohmic region (Linear region) – vùng tuyến tính

Pinch-off point – điểm thắt

JFET output characteristics – đặc tuyến đầu ra JFET

Saturation (Active region) – vùng bão hòa

What are the two main types of Bipolar Junction Transistors (BJTs)?

A. FET and MOSFET

B. NPN and PNP

C. Diode and Transistor

D. Unijunction and Bipolar

✅ Correct Answer: B. NPN and PNP

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

BJT (Bipolar Junction Transistor) có hai loại chính:

NPN

PNP

Chúng khác nhau ở hướng phân cực và chiều dòng điện.

FET, MOSFET không phải BJT; diode cũng không phải một loại của BJT.

🔑 Keywords (English)

BJT (Bipolar Junction Transistor) – transistor lưỡng cực

NPN transistor – loại NPN

PNP transistor – loại PNP

Two main types – hai loại chính

What causes BJT breakdown at high V_CB in active region?

A. Forward bias

B. Punch-through

C. Avalanche effect

D. Zener effect

✅ Correct Answer: C. Avalanche effect

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Trong vùng hoạt động active region, mối nối collector–base (C–B) bị phân cực ngược.

Khi V_CB tăng quá lớn → điện trường mạnh → các hạt mang điện va chạm mạnh → tạo ra avalanche multiplication → dẫn đến BV_CBO breakdown.

Đây được gọi là:👉 Avalanche breakdown (hiệu ứng thác lũ)

Zener effect xảy ra chủ yếu ở điện áp thấp (dưới 6V).

Punch-through xảy ra khi vùng nghèo mở rộng xuyên qua base, nhưng chủ yếu liên quan đến V_CE, không phải breakdown C–B đặc trưng.

🔑 Keywords (English)

Avalanche effect – hiệu ứng thác lũ

Collector–Base breakdown (BV_CBO)

Reverse-biased junction – mối nối phân cực ngược

High V_CB – điện áp C–B cao

What parameter represents the ratio of change in drain current to change in gate-to-source voltage in a FET?

A. Output resistance

B. Voltage gain

C. Transconductance

D. Input impedance

✅ Correct Answer: C. Transconductance

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Thông số biểu diễn tỉ lệ:

gm = ΔI_D / ΔV_GS

chính là transconductance (độ dẫn truyền).

Đây là tham số quan trọng nhất trong FET vì nó cho biết độ nhạy của dòng Drain đối với điện áp Gate–Source.

Các lựa chọn khác không đúng:

Output resistance → liên quan V_DS vs I_D

Voltage gain → phụ thuộc mạch

Input impedance → gần như vô hạn ở Gate

🔑 Keywords (English)

Transconductance (g_m) – độ dẫn truyền

Drain current (I_D) – dòng Drain

Gate-to-Source voltage (V_GS) – điện áp Gate–Source

gm = ΔID / ΔVGS – công thức chuẩn

Which parameter best reflects current gain in a BJT?

A. rₑ

B. rₒ

C. β

D. Zₒ

✅ Correct Answer: C. β

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Tham số thể hiện current gain (hệ số khuếch đại dòng) của BJT là:👉 β (beta)

Định nghĩa:

β=ICIB\beta = \frac{I_C}{I_B}β=IB​IC​​

→ Cho biết dòng collector lớn gấp bao nhiêu lần dòng base.

Các lựa chọn khác không phải hệ số dòng:

rₑ → emitter resistance (small-signal)

rₒ → output resistance

Zₒ → output impedance

🔑 Keywords (English)

Current gain β – hệ số khuếch đại dòng

BJT (Bipolar Junction Transistor)

β = IC / IB – công thức hệ số dòng

What is the approximate voltage gain of an emitter follower (common-collector BJT amplifier)?

A. 0

B. > 10

C. < 0

D. ≈ 1

✅ Correct Answer: D. ≈ 1

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Mạch emitter follower (hay common-collector amplifier) có đặc trưng:

High input impedance – trở kháng vào lớn

Low output impedance – trở kháng ra nhỏ

Voltage gain ≈ 1 – hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1

Lý do: tín hiệu ra tại emitter gần như bằng tín hiệu vào tại base, trừ đi khoảng V_BE ≈ 0.7V.

🔑 Keywords (English)

Emitter follower – mạch theo emitter

Common-collector amplifier – khuếch đại colector chung

Voltage gain ≈ 1 – hệ số khuếch đại điện áp xấp xỉ 1

Impedance matching – ghép trở kháng

What is the typical phase shift (in degrees) between input and output in a common-emitter (CE) amplifier?

A. 0

B. 90

C. 180

D. 360

✅ Correct Answer: C. 180

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Mạch common-emitter (CE) amplifier tạo ra inversion (đảo pha) giữa tín hiệu vào và tín hiệu ra.

Khi tín hiệu vào tăng → tín hiệu ra giảm → nghĩa là lệch nhau 180°.

Đây là đặc tính cơ bản của CE: voltage inversion.

🔑 Keywords (English)

Common-emitter amplifier (CE) – khuếch đại emitter chung

Phase shift = 180° – độ lệch pha 180 độ

Inversion – đảo pha

Voltage gain (negative sign) – hệ số khuếch đại mang dấu âm

In silicon diodes, the threshold voltage is approximately:

A. 0.3 V

B. 0.5 V

C. 0.7 V

D. 1.2 V

✅ Correct Answer: C. 0.7 V

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Silicon diode có threshold voltage (điện áp ngưỡng) hay forward voltage drop khoảng:👉 0.7 V

Đây là mức điện áp cần để diode Silicon conduct (dẫn điện) theo chiều thuận.

0.3V thường là của diode Germanium (Ge), không phải Silicon.

🔑 Keywords (English)

Silicon diode – diode Silicon

Threshold voltage – điện áp ngưỡng

Forward voltage drop (V_F) – điện áp rơi thuận

≈ 0.7 V – giá trị ngưỡng điển hình cho Si diode

What is the cutoff frequency for a first-order low-pass filter?

A. fc = 1 / RC

B. fc = 1 / (2πRC)

C. fc = 2πRC

D. fc = RC

✅ Correct Answer: B. fc = 1 / (2πRC)

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Bộ lọc thông thấp first-order RC low-pass filter có tần số cắt chuẩn:

fc=12πRCf_c = \frac{1}{2\pi RC}fc​=2πRC1​

Đây là tần số tại đó biên độ giảm –3 dB (half-power frequency).

🔑 Keywords (English)

Cutoff frequency (fc) – tần số cắt

Low-pass filter – bộ lọc thông thấp

RC filter – bộ lọc dùng điện trở & tụ

–3 dB point / Half-power frequency – điểm công suất bằng một nửa

What is the benefit of using a collector-feedback bias?

A. Improved thermal stability

B. High voltage gain

C. High power efficiency

D. Reduced R_E

✅ Correct Answer: A. Improved thermal stability

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Collector-feedback bias sử dụng một điện trở nối từ collector → base.

Khi transistor nóng lên → dòng tăng → V_C giảm, kéo theo V_B giảm, làm giảm dòng Base → giúp transistor ổn định lại.

Đây chính là negative feedback giúp tăng thermal stability.

🔑 Keywords (English)

Collector-feedback bias – phân cực hồi tiếp từ collector

Thermal stability – ổn định nhiệt

Negative feedback – hồi tiếp âm

Self-stabilizing bias – mạch phân cực tự ổn định

What is the most used semiconductor material in electronics?

A. Germanium

B. Gallium Arsenide

C. Indium

D. Silicon

✅ Correct Answer: D. Silicon

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Silicon (Si) là vật liệu bán dẫn được sử dụng nhiều nhất trong công nghiệp điện tử.

Lý do:

Rẻ, dễ chế tạo

Có lớp SiO₂ tự nhiên rất ổn định

Dùng trong diodes, BJTs, MOSFETs, ICs, processors

Các vật liệu khác như Germanium hay GaAs chỉ dùng cho ứng dụng đặc biệt.

🔑 Keywords (English)

Silicon (Si) – Silicon

Most used semiconductor – vật liệu bán dẫn được dùng nhiều nhất

Silicon dioxide (SiO₂) – lớp oxit bảo vệ

Microelectronics – vi điện tử

What are the three terminals of a JFET?

A. Base, Collector, Emitter

B. Gate, Drain, Source

C. Anode, Cathode, Gate

D. Emitter, Base, Gate

✅ Correct Answer: B. Gate, Drain, Source

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Một JFET (Junction Field-Effect Transistor) luôn có 3 chân:

Gate (G) – cổng điều khiển

Drain (D) – chân thoát

Source (S) – chân nguồn

Các chân Base–Collector–Emitter là của BJT,

Anode–Cathode là của diode.

🔑 Keywords (English)

JFET terminals – các chân của JFET

Gate, Drain, Source – G, D, S

Field-effect transistor – transistor hiệu ứng trường

What type of ICs contain both linear and digital characteristics?

A. Analog ICs

B. Digital ICs

C. Linear-Digital ICs

D. Microprocessor ICs

✅ Correct Answer: C. Linear-Digital ICs

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Những IC vừa có đặc tính analog (tuyến tính) vừa có đặc tính digital (số) được gọi là:👉 Linear-Digital ICs hay còn gọi là mixed-signal ICs.

Ví dụ:

ADC (Analog-to-Digital Converter)

DAC (Digital-to-Analog Converter)

PLL

Sensor interfaces

🔑 Keywords (English)

Linear-Digital ICs – IC tuyến tính–số

Mixed-signal ICs – IC hỗn hợp analog/digital

Analog + Digital characteristics – đặc tính kết hợp

Which bias configuration for BJT includes a voltage divider and an emitter resistor?

A. Fixed-bias

B. Collector-feedback

C. Voltage-divider bias

D. Darlington

✅ Correct Answer: C. Voltage-divider bias

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Voltage-divider bias sử dụng:

Hai điện trở tạo cầu phân áp (voltage divider) để đặt điện áp base.

Một điện trở emitter (R_E) để tăng ổn định nhiệt.

Đây là kiểu phân cực ổn định nhất, ít phụ thuộc β.

Các cấu hình khác:

Fixed-bias → chỉ có R_B

Collector-feedback bias → hồi tiếp từ collector

Darlington → cấu trúc 2 transistor, không phải mạch phân cực

🔑 Keywords (English)

Voltage-divider bias – phân cực cầu chia áp

Emitter resistor (R_E) – điện trở emitter

Stable biasing – phân cực ổn định

BJT bias configuration – cấu hình phân cực BJT

Which method converts complex bias circuits into simple ones?

A. Superposition

B. Thévenin's Theorem

C. Norton's Theorem

D. Delta-star transformation

✅ Correct Answer: B. Thévenin’s Theorem

📘 Giải thích tiếng Việt (kèm keyword tiếng Anh)

Thévenin’s Theorem cho phép thay thế một mạng điện phức tạp bằng:

Một nguồn điện áp tương đương (Vth)

Một điện trở tương đương (Rth)

Điều này đặc biệt hữu ích khi phân tích bias circuits (mạch phân cực) của BJT, FET bằng cách đơn giản hóa mạch vào thành Thevenin equivalent → tính toán V_B, I_B, V_CE dễ hơn.

Các lựa chọn khác không phù hợp:

Superposition → dùng khi có nhiều nguồn

Norton’s Theorem → tương đương dòng, nhưng ít dùng trong phân cực

Delta-star transformation → chuyển đổi mạch trở, không phải phân cực

🔑 Keywords (English)

Thévenin’s Theorem – định lý Thévenin

Thevenin equivalent circuit – mạch tương đương Thévenin

Bias circuit simplification – đơn giản hóa mạch phân cực

Which op-amp application (ứng dụng của op-amp) can drive an LED (điều khiển LED) based on comparator behavior (dựa trên hoạt động so sánh)?

A. Summing amplifier (mạch cộng tín hiệu)

B. Display driver (mạch điều khiển hiển thị/LED)

C. Buffer amplifier (mạch đệm - khuếch đại đệm)

D. Integrator (mạch tích phân)

✅ Correct Answer: B. Display driver (mạch điều khiển LED/hiển thị)

📘 Giải thích tiếng Việt

Display driver có thể dùng op-amp làm comparator (bộ so sánh) để bật/tắt LED.

Khi tín hiệu vượt ngưỡng (threshold) → đầu ra op-amp lên mức cao → LED sáng.

Các đáp án khác:

Summing amplifier → chỉ cộng tín hiệu

Buffer amplifier → khuếch đại đệm, không điều khiển LED

Integrator → tích phân tín hiệu, không dùng như comparator

Which FET amplifier configuration (cấu hình khuếch đại FET) is analogous to the BJT common-collector (mạch colector chung) emitter-follower (mạch theo emitter)?

A. Common-Source

B. Common-Gate

C. Common-Drain (Source-Follower)

D. Fixed-Bias

✅ Correct Answer: C. Common-Drain (Source-Follower – mạch theo nguồn, tương đương emitter-follower)

📘 Giải thích tiếng Việt

Common-Drain, còn gọi là Source-Follower, có:

Voltage gain ≈ 1 (khuếch đại áp gần bằng 1)

Input impedance cao

Output impedance thấp

Các đặc điểm này giống hệt emitter-follower của BJT → nên đây là cấu hình tương đương.

When a transistor is in the saturation mode (chế độ bão hòa), it acts like a(n):

A. Open switch

B. Amplifier

C. Current source

D. Closed switch

✅ Correct Answer: D. Closed switch (công tắc đóng – dẫn điện mạnh)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong saturation mode (bão hòa), transistor có:

Base–Emitter và Base–Collector đều forward-biased (phân cực thuận)

VCE rất nhỏ (≈ 0.1–0.3 V)

Dòng đi qua mạnh → transistor dẫn như công tắc đang đóng

Đây là trạng thái dùng để ON thiết bị: LED, relay, motor, v.v.

A semiconductor material that has been subjected to the doping process (quá trình pha tạp) is called:

A. Intrinsic

B. Extrinsic

C. Compound

D. Pure

✅ Correct Answer: B. Extrinsic (bán dẫn loại pha tạp – có tạp chất để tăng độ dẫn)

📘 Giải thích tiếng Việt

Intrinsic semiconductor → bán dẫn tinh khiết, chưa được pha tạp.

Khi ta doping (pha thêm tạp chất) như Boron, Phosphorus… thì nó trở thành:👉 Extrinsic semiconductor (bán dẫn ngoại sinh)

Hai loại extrinsic:

N-type → thêm donor (P, As)

P-type → thêm acceptor (B)

“Pure” và “Compound” không liên quan đến doping.

Doping with pentavalent impurities (tạp chất hóa trị 5 – nguyên tử có 5 electron hóa trị, ví dụ: P, As, Sb) creates which type of semiconductor material?

A. P-Type

B. Intrinsic

C. N-Type

D. Compound

✅ Correct Answer: C. N-Type (bán dẫn loại N – thêm donor cho electron tự do)

📘 Giải thích tiếng Việt

Tạp chất pentavalent (hóa trị 5) như:

Phosphorus (P)

Arsenic (As)

Antimony (Sb)

Khi pha vào silicon → chúng cho thêm 1 electron tự do → gọi là donor impurities.

➡️ Tạo ra N-type semiconductor vì điện tử (negative charge carriers) chiếm ưu thế.

P-type chỉ tạo ra bởi tạp chất hóa trị 3 (trivalent) như Boron.

In a Voltage-Controlled Voltage Source (VCVS) (nguồn điện áp điều khiển bằng điện áp), what determines the scaling factor k (hệ số khuếch đại k)?

A. Temperature

B. Capacitance

C. Rf and R1 (hai điện trở trong mạch khuếch đại op-amp – quyết định hệ số khuếch đại)

D. Supply voltage

✅ Correct Answer: C. Rf and R1 (tỉ số hai điện trở đặt hệ số khuếch đại k)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong một mạch VCVS, thường được thực hiện bằng op-amp, hệ số khuếch đại k được xác định bởi tỉ số hai điện trở:

k = 1 + R_f / R_1 (non-inverting amplifier)

hoặc

k = - R_f / R_1 ​​(inverting amplifier)

Nhiệt độ, điện dung hay nguồn cấp không quyết định scaling factor k — chỉ Rf và R1 quyết định.

In a Common-Gate amplifier (mạch khuếch đại dùng cổng chung), which terminal is common (chung) to both input and output?

A. Gate

B. Source

C. Drain

D. Substrate

✅ Correct Answer: A. Gate (cực Gate được nối chung cho cả ngõ vào và ngõ ra)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong cấu hình Common-Gate (CG):

Gate được nối chung (thường nối đất AC).

Input đặt vào Source,

Output lấy từ Drain.

Đúng như tên gọi Common-Gate, cực Gate là cực được dùng chung cho cả input và output — tương tự như common-base ở BJT.

In a Source-Follower (Common-Drain) configuration (mạch theo nguồn / thoát chung), the output (ngõ ra) is taken from:

A. Drain

B. Gate

C. Source

D. Load

✅ Correct Answer: C. Source (ngõ ra được lấy tại cực Source — giống emitter-follower của BJT)

📘 Giải thích tiếng Việt

Source-Follower = ngõ ra theo Source, giống như emitter-follower ở BJT.

Trong cấu hình Common-Drain:

Drain là cực chung

Input đặt vào Gate

Output lấy ở Source

Kết quả:

Voltage gain ≈ 1

Trở kháng vào cao

Trở kháng ra thấp

In the AC analysis (phân tích tín hiệu xoay chiều) of a common-emitter amplifier (mạch khuếch đại emitter chung), the voltage gain Av (hệ số khuếch đại điện áp Av) is approximately:

A. RC/RE

B. –RC/re

C. –RC/RB

D. –re/RC

✅ Correct Answer: B. –RC/re (hệ số khuếch đại điện áp CE ≈ –RC / re)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong phân tích AC common-emitter, hệ số khuếch đại điện áp:

Av ≈ −R_C / r_e

Trong đó:

R_C = điện trở collector

r_e = điện trở emitter nhỏ (small-signal emitter resistance), khoảng:

r_e ≈ 26 mV / I_E

Dấu âm thể hiện đảo pha 180° giữa đầu vào và đầu ra.

Các đáp án khác sai vì:

RC/RE dùng cho mạch có bypass capacitor bị bỏ qua

–RC/RB và –re/RC không phải công thức đúng của CE amplifier

In a CMOS differential amplifier (mạch khuếch đại vi sai dùng CMOS), the input (tín hiệu vào) is applied to:

A. Emitters

B. Drains

C. Bases

D. Gates

✅ Correct Answer: D. Gates (cực Gate – nơi nhận tín hiệu vào trong CMOS)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong CMOS (complementary MOSFET), transistor dùng là MOSFET, không phải BJT.

MOSFET có 3 chân chính: Gate – Drain – Source.

Trong mạch differential pair kiểu CMOS, hai tín hiệu vào được đưa vào hai cực Gate của hai MOSFET.

✔ Vì Gate điều khiển dòng mà không cần dòng vào (input impedance rất cao).✔ Drain là ngõ ra.✔ Emitters/Bases là chân của BJT, không liên quan CMOS.

In which operating mode (chế độ hoạt động) are both the emitter-base and collector-base junctions (mối nối E–B và C–B) of a transistor forward biased (đều phân cực thuận)?

A. Active mode

B. Saturation mode

C. Cut-off mode

D. Breakdown mode

✅ Correct Answer: B. Saturation mode (chế độ bão hòa – cả EB và CB đều phân cực thuận)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong Saturation mode (bão hòa):

Emitter–Base junction → forward-biased

Collector–Base junction → cũng forward-biased

Lúc này transistor dẫn mạnh, giống closed switch (công tắc đóng).

Các chế độ khác:

Active mode → EB thuận, CB ngược

Cut-off mode → cả EB và CB đều ngược

Breakdown mode → C–B bị đánh thủng, không phải phân cực thuận

n an n-type semiconductor (bán dẫn loại N), the majority carriers (hạt tải đa số) are:

A. Holes

B. Protons

C. Electrons

D. Neutrons

✅ Correct Answer: C. Electrons (electron – hạt tải đa số trong bán dẫn loại N)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong n-type semiconductor, ta pha tạp chất donor (cho điện tử) như Phosphorus hoặc Arsenic.

Điều này tạo ra nhiều electron tự do, vì vậy electron trở thành majority carriers (hạt tải đa số).

Ngược lại, trong p-type, hạt tải đa số là holes (lỗ trống).

Protons & neutrons không tham gia dẫn điện trong chất bán dẫn.

In an AC analysis (phân tích tín hiệu AC), what happens to voltage gain (hệ số khuếch đại điện áp) if the emitter resistor RE (điện trở emitter RE) is bypassed by a capacitor (được mắc song song bởi một tụ điện)?

A. Decreases

B. Increases

C. Becomes zero

D. Reverses polarity

✅ Correct Answer: B. Increases (tăng lên – do RE bị triệt tiêu trong tín hiệu AC)

📘 Giải thích tiếng Việt

Khi RE được bypass bởi capacitor, tụ điện ngắn mạch RE cho tín hiệu AC.

Điều này làm cho điện trở emitter hiệu dụng giảm xuống gần bằng re (small-signal resistance).

Mà hệ số khuếch đại điện áp của CE:

Av≈−RCreA_v \approx -\frac{R_C}{r_e}Av​≈−re​RC​​

RE càng nhỏ → gain càng lớn.

✔ Vì vậy voltage gain tăng lên khi RE được bypass.

In which region (vùng hoạt động) is the BJT used for amplification (khuếch đại tín hiệu)?

A. Cutoff

B. Saturation

C. Breakdown

D. Active

✅ Correct Answer: D. Active (vùng tích cực – dùng để khuếch đại tín hiệu)

📘 Giải thích tiếng Việt

Để khuếch đại, transistor phải hoạt động ở Active region (vùng tích cực).

Trong vùng này:

Emitter–Base junction → forward-biased (phân cực thuận)

Collector–Base junction → reverse-biased (phân cực ngược)

✔ Điều này cho phép tín hiệu nhỏ ở base được khuếch đại thành tín hiệu lớn ở collector.

In an E-MOSFET feedback configuration (cấu hình MOSFET tăng cường có hồi tiếp), what is the relationship (mối quan hệ) between VGS (điện áp Gate–Source) and VDS (điện áp Drain–Source)?

A. VGS = VDS

B. VGS = VDS + ID·RD

C. VGS = VDD

D. VGS = 0V

✅ Correct Answer: B. VGS = VDS + ID·RD (quan hệ điện áp qua hồi tiếp)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong E-MOSFET feedback bias, một điện trở RD được đặt ở drain, và hồi tiếp giúp tự ổn định điểm làm việc.

Dòng I_D chạy qua R_D tạo ra điện áp:

V_RD = I_D⋅R_D

Do đó quan hệ giữa các điện áp là:

V_GS = V_DS + I_D⋅R_D

✔ Công thức này mô tả mạch hồi tiếp giúp MOSFET tự ổn định (self-biasing).

In which modes (chế độ hoạt động) can a Depletion-Type MOSFET (MOSFET loại suy giảm) operate?

A. Only Depletion mode

B. Only Enhancement mode

C. Both Depletion and Enhancement modes

D. Cutoff and Saturation modes only

✅ Correct Answer: C. Both Depletion and Enhancement modes (hoạt động được ở cả chế độ Suy giảm & Tăng cường)

📘 Giải thích tiếng Việt

Depletion-type MOSFET có thể:

Depletion mode (chế độ suy giảm):

Khi VGS < 0 → kênh bị thu hẹp bớt → dòng giảm.

Enhancement mode (chế độ tăng cường):

Khi VGS > 0 → kênh được tăng cường → dòng tăng.

✔ Vì nó có kênh sẵn từ đầu nên có thể giảm hoặc tăng độ dẫn, hoạt động ở cả hai chế độ.✔ Trong khi Enhancement-type MOSFET chỉ hoạt động ở Enhancement mode.

In a noninverting constant-gain multiplier (mạch nhân tín hiệu với hệ số khuếch đại cố định ở cấu hình không đảo), the input signal (tín hiệu vào) is applied to which terminal (cực)?

A. Inverting (−) terminal

B. Noninverting (+) terminal

C. Output terminal

D. Ground

✅ Correct Answer: B. Noninverting (+) terminal (cực không đảo – nơi nhận tín hiệu vào)

📘 Giải thích tiếng Việt

Noninverting amplifier = mạch khuếch đại không đảo pha.

Vì vậy tín hiệu luôn được đưa vào cực Noninverting (+).

Cực Inverting (−) được dùng cho feedback để điều chỉnh hệ số khuếch đại.

✔ Do đó, input → (+ terminal)✔ Output có cùng pha với input (không bị đảo pha).

In the common-emitter configuration (cấu hình emitter chung), the current gain (β) (hệ số khuếch đại dòng β) is defined as:

A. β = IE / IB

B. β = IC / IB

C. β = IE / IC

D. β = IB / IC

✅ Correct Answer: B. β = IC / IB (tỷ số dòng collector / dòng base)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong cấu hình emitter chung, hệ số khuếch đại dòng β được định nghĩa là:

β = I_C / I_B

IC (collector current) = dòng colector

IB (base current) = dòng base

β cho biết: dòng ra lớn hơn dòng vào bao nhiêu lần.

Ví dụ: β = 100 → dòng base 1 mA tạo dòng collector 100 mA.

Các đáp án khác sai vì không đúng định nghĩa chuẩn của transistor BJT.

In a bridge rectifier (mạch chỉnh lưu cầu), PIV rating (điện áp ngược tối đa của diode – Peak Inverse Voltage) of each diode should be at least:

A. Vm

B. 2Vm

C. 0.5Vm

D. Vrms

✅ Correct Answer: A. Vm (điện áp ngược tối đa diode ≈ V_peak)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong mạch chỉnh lưu cầu, khi một cặp diode dẫn, cặp còn lại bị phân cực ngược.

Điện áp ngược lớn nhất mà mỗi diode phải chịu chỉ bằng điện áp đỉnh của nguồn xoay chiều (Vm).

Không giống mạch center-tap (hai diode + biến áp có điểm giữa), nơi mỗi diode chịu 2Vm,

Mạch cầu có 4 diode nối thành cầu, nên điện áp ngược đặt trên mỗi diode chỉ ≈ Vm.

👉 Kết luận:

PIV = Vm

The input characteristics (đặc tuyến vào) of the Common-Base configuration (cấu hình base chung) show the relationship between:

A. IC and VCE

B. IB and VBE

C. IE and VBE

D. IC and IB

✅ Correct Answer: C. IE and VBE (dòng emitter IE và điện áp VBE)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong cấu hình base chung (Common-Base):

Input được đưa vào Emitter (E)

Base (B) là chân chung

Output lấy ra ở Collector (C)

Vì vậy đặc tuyến vào luôn biểu diễn mối quan hệ giữa:

IE (Emitter current – dòng emitter) và VBE (Emitter–Base voltage – điện ápE–B)

The depletion region (vùng nghèo hạt tải) in a diode:

A. Contains free carriers (chứa hạt tải tự do)

B. Is full of electrons (đầy electron)

C. Has immobile ions (chứa các ion bất động)

D. Is positively charged (mang điện dương)

✅ Correct Answer: C. Has immobile ions (vùng nghèo chứa các ion bất động – không có hạt tải tự do)

📘 Giải thích tiếng Việt

Depletion region là vùng không có electron tự do hoặc lỗ trống.

Khi diode hình thành, electron và lỗ trống gần vùng tiếp giáp khuếch tán và tái hợp, để lại:

Ion dương bất động ở phía N

Ion âm bất động ở phía P

👉 Vì các ion này không di chuyển (immobile ions), vùng được gọi là vùng nghèo (depletion).

The Zener breakdown mechanism (cơ chế đánh thủng Zener) occurs due to:

A. Avalanche collision (va chạm thác lũ)

B. Heating effect (hiệu ứng nhiệt)

C. Strong electric field (điện trường rất mạnh)

D. Magnetic field (từ trường)

✅ Correct Answer: C. Strong electric field (điện trường mạnh làm electron bật khỏi liên kết)

📘 Giải thích tiếng Việt

Zener breakdown xảy ra ở diode khi phân cực nghịch và điện áp thấp (thường dưới 5–6V).

Điện trường mạnh tại vùng depletion sẽ bứt electron ra khỏi liên kết → tạo dòng nghịch lớn mà không phá hỏng diode.

👉 Đây khác với Avalanche breakdown, vốn xảy ra ở điện áp cao hơn và do va chạm thác lũ.

✔ Vì vậy, Zener breakdown = một điện trường mạnh trong vùng depletion.

The current gain (hệ số khuếch đại dòng) in the Common-Base configuration (cấu hình base chung — ký hiệu α) is defined as:

A. IC / IB

B. IE / IC

C. IC / IE

D. IB / IC

✅ Correct Answer: C. IC / IE (tỷ số dòng collector trên dòng emitter — hệ số α)

📘 Giải thích tiếng Việt

Trong Common-Base configuration, hệ số khuếch đại dòng được ký hiệu là α (alpha), và được định nghĩa:

α = IC / IE

IE là dòng emitter (dòng vào)

IC là dòng collector (dòng ra)

α có giá trị rất gần 1 (khoảng 0.95 – 0.99)

✔ Đây là đặc tính đặc trưng của cấu hình Base chung, khác với CE (emitter chung), nơi hệ số khuếch đại dòng là β = IC / IB.

What is the primary benefit (lợi ích chính) of adding an emitter resistor (RE) (điện trở emitter RE) to a BJT biasing configuration (mạch phân cực BJT)?

A. It increases the voltage gain (tăng hệ số khuếch đại điện áp)

B. It enhances stability with regards to temperature and β variations (tăng độ ổn định đối với nhiệt độ & biến thiên β)

C. It reduces the base current (giảm dòng base)

D. It decreases the collector current (giảm dòng collector)

✅ Correct Answer: B. It enhances stability with regards to temperature and β variations

(giúp mạch ổn định hơn trước thay đổi nhiệt độ & β)**

📘 Giải thích tiếng Việt

Thêm điện trở RE tạo negative feedback (hồi tiếp âm):

Nếu IC tăng → điện áp rE tăng → VBE giảm → IC giảm trở lại → mạch ổn định.

Nhờ vậy mạch ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ và biến thiên β (vì β thay đổi theo transistor & nhiệt độ).

Đây là mục đích chính của RE trong phân cực BJT.

✔ Không phải để tăng gain (thậm chí RE làm giảm gain AC nếu không bypass).✔ Không nhằm giảm IB hay IC trực tiếp.

What is the ideal output voltage (điện áp đầu ra lý tưởng) of a differential amplifier (mạch khuếch đại vi sai) for a common-mode input signal (tín hiệu chế độ chung)?

A. Common-mode input voltage times differential gain

B. Common-mode input voltage times common-mode gain

C. Zero

D. Difference between input voltages

✅ Correct Answer: C. Zero (bằng 0 – mạch vi sai lý tưởng loại bỏ hoàn toàn tín hiệu chế độ chung)

📘 Giải thích tiếng Việt

Differential amplifier khuếch đại độ chênh lệch giữa hai tín hiệu.

Common-mode signal là tín hiệu giống nhau đưa vào cả hai ngõ vào.

Ở mạch vi sai lý tưởng, common-mode gain = 0, nên đầu ra:

V_out(ideal) = 0

✔ Vì vậy đầu ra phải bằng 0 khi tín hiệu vào là common-mode.✔ Thực tế, luôn có một lượng nhỏ (do CMRR hữu hạn), nhưng lý tưởng = 0.

What is the primary purpose (mục đích chính) of DC biasing (phân cực DC) in BJT circuits?

A. To increase AC gain

B. To protect the transistor

C. To establish a stable operating point (thiết lập điểm làm việc ổn định – Q-point)

D. To reduce input impedance

✅ Correct Answer: C. To establish a stable operating point (thiết lập Q-point ổn định cho transistor)

📘 Giải thích tiếng Việt

Phân cực DC (DC biasing) được dùng để đặt transistor vào vùng hoạt động mong muốn, thường là active region, để mạch có thể khuếch đại tín hiệu AC mà không bị méo.

Nó đảm bảo dòng và điện áp DC nằm ở Q-point (quiescent point) ổn định, bất chấp:

thay đổi nhiệt độ

thay đổi tham số transistor (như β)

✔ Đây là mục đích quan trọng nhất của DC biasing.

Không phải để tăng AC gain

Không phải để bảo vệ transistor

Không phải để giảm trở kháng vào

What is a typical use (cách sử dụng điển hình) của operational amplifiers – op-amp (khuếch đại thuật toán)?

A. High-power switching (chuyển mạch công suất lớn)

B. Providing voltage amplitude changes (thay đổi biên độ điện áp: khuếch đại & đảo/không đảo cực tính)

C. Designing resistive networks without feedback (thiết kế mạng điện trở không hồi tiếp)

D. Operation at very high frequencies only (hoạt động ở tần số rất cao chỉ dành riêng cho tần số cao)

✅ Correct Answer: B. Providing voltage amplitude changes (amplification and polarity)

📘 Giải thích chi tiết

Op-amp được dùng phổ biến nhất để:

✔ Khuếch đại tín hiệu (amplification)✔ Thay đổi cực tính tín hiệu (inverting / non-inverting)✔ Tạo các mạch khuếch đại cơ bản như:

Inverting amplifier

Non-inverting amplifier

Differential amplifier

Summing amplifier

👉 Tất cả đều liên quan đến thay đổi biên độ và chiều của điện áp, đúng với đáp án B.

❌ Vì sao các đáp án khác sai?

A. High-power switching → chức năng của MOSFET/IGBT, NOT op-amp

C. Designing resistive networks without feedback → vô nghĩa, op-amp luôn cần hồi tiếp để hoạt động ổn định

D. Only at very high frequencies → op-amp không hoạt động tốt ở tần số quá cao (giới hạn bởi slew rate & bandwidth)

What is a key advantage of dedicated comparator ICs (IC so sánh chuyên dụng) over op-amps used as comparators (op-amp dùng như comparator)?

A. Slower switching speeds→ tốc độ chuyển mạch chậm hơn

B. Higher power consumption→ tiêu thụ điện cao hơn

C. Faster switching and built-in noise immunity→ chuyển mạch nhanh hơn và khả năng chống nhiễu tích hợp

D. Lower input impedance→ trở kháng vào thấp hơn

✅ Correct Answer: C. Faster switching and built-in noise immunity

📘 Giải thích chi tiết

IC comparator chuyên dụng được thiết kế riêng để so sánh tín hiệu nên có:

✔ Tốc độ chuyển mức rất nhanh (fast switching)✔ Chống nhiễu tốt hơn (noise immunity)✔ Độ trễ nhỏ (low propagation delay)✔ Không bị saturate sâu như op-amp → phản hồi nhanh hơn

Trong khi đó:

Op-amp không tối ưu cho switching → chuyển đổi chậm, dễ bị nhiễu, và hay vào vùng saturation, làm tăng thời gian hồi phục.

What is the purpose of the strobe input (ngõ strobe / ngõ cho phép tạm thời) in a comparator?

A. Reset the output→ Reset đầu ra

B. Enable or disable output based on timing→ Bật/tắt đầu ra theo thời điểm (theo xung điều khiển – “cho phép đầu ra”)

C. Increase frequency→ Tăng tần số

D. Reduce noise→ Giảm nhiễu

✅ Correct Answer: B. Enable or disable output based on timing

📘 Giải thích:

Ngõ strobe trong comparator hoạt động như một enable pin:

Khi strobe = active, comparator cho phép xuất đầu ra.

Khi strobe = inactive, comparator khóa đầu ra (output bị disable).

➡️ Dùng để điều khiển thời điểm comparator hoạt động, thường trong hệ thống lấy mẫu (sampling) hoặc đồng bộ thời gian.

Không phải để reset, không tăng tần số, cũng không trực tiếp giảm nhiễu.

What is the purpose of a PLL in frequency demodulation?(Nhiệm vụ của PLL – Phase Locked Loop trong giải điều tần (FM demodulation) là gì?)

A. Amplify audio→ Khuếch đại âm thanh

B. Remove noise→ Loại nhiễu

C. Track and convert frequency to voltage→ Bám tần số và chuyển tần số thành điện áp (tức giải điều tần)

D. Transmit digital data→ Truyền dữ liệu số

✅ Correct Answer: C. Track and convert frequency to voltage

📘 Giải thích:

Trong giải điều tần FM:

PLL khóa pha theo tín hiệu FM đầu vào

Tần số thay đổi → điện áp ra thay đổi tương ứng

Do đó PLL hoạt động như mạch giải điều tần FM (FM demodulator)

Nó không khuếch đại âm thanh, không truyền dữ liệu, và không phải bộ lọc nhiễu.

What are the operating regions of a transistor when used as a switch (inverter)?(Khi dùng transistor làm công tắc / mạch đảo (inverter), transistor hoạt động ở những vùng nào?)

A. Cutoff and linear→ Ngắt (Cutoff) và tuyến tính (Linear)

B. Cutoff and saturation→ Ngắt (Cutoff) và bão hòa (Saturation)

C. Linear and breakdown→ Tuyến tính và phá hủy (Breakdown)

D. Reverse and forward→ Thuận và nghịch

✅ Correct Answer: B. Cutoff and saturation

📘 Giải thích dễ hiểu:

Khi transistor dùng làm công tắc:

Cutoff (ngắt) → Transistor OFF → Không dẫn → Giống công tắc mở

Saturation (bão hòa) → Transistor ON → Dẫn hoàn toàn → Giống công tắc đóng

Hai trạng thái này tương ứng với logic 0 và logic 1 trong mạch số.

What are the main components of a basic PLL?(Các thành phần chính của một PLL – Phase Locked Loop (mạch khóa pha) là gì?)

A. Comparator, DAC, and Timer.→ Bộ so sánh, DAC và Timer.

B. Phase Detector, Low-Pass Filter, and VCO→ Bộ dò pha, bộ lọc thông thấp, và bộ dao động điều khiển điện áp (VCO)

C. Op-amp, Resistors, and Capacitors.→ Op-amp, điện trở, tụ điện.

D. Microprocessor and memory.→ Vi xử lý và bộ nhớ.

✅ Correct Answer: B. Phase Detector, Low-Pass Filter, and VCO

📘 Giải thích dễ hiểu:

Một PLL cơ bản luôn gồm 3 khối quan trọng:

Phase Detector (Bộ dò pha)→ So sánh pha giữa tín hiệu vào và tín hiệu từ VCO.

Low-Pass Filter (Bộ lọc thông thấp)→ Lọc nhiễu và tạo điện áp điều khiển mượt cho VCO.

VCO – Voltage Controlled Oscillator (Bộ dao động điều khiển điện áp)→ Tạo ra tín hiệu tần số thay đổi theo điện áp.

Ba khối này tạo thành vòng lặp để khóa pha.

What does a zero-crossing detector do?(Zero-crossing detector – mạch phát hiện điểm qua zero – dùng để làm gì?)

A. Detects peaks in analog signals.→ Phát hiện điểm cực đại của tín hiệu analog.

B. Detects when a signal crosses zero voltage.→ Phát hiện khi tín hiệu đi qua mức điện áp 0V.

C. Compares voltage to a threshold.→ So sánh điện áp với một mức ngưỡng.

D. Detects frequency modulation.→ Phát hiện điều chế tần số.

✅ Correct Answer: B. Detects when a signal crosses zero voltage

(Phát hiện khi tín hiệu đi qua mức 0V.)

📘 Giải thích dễ hiểu:

Zero-crossing detector là mạch dùng op-amp hoặc comparator để:

Nhận biết thời điểm tín hiệu AC đi từ âm → dương hoặc dương → âm

Điểm này chính là zero voltage (0V)

Thường dùng trong điều khiển AC, đếm tần số, triac, đồng bộ pha, FFT, v.v.

Nó không phát hiện peak, không so ngưỡng như comparator thường, và không liên quan FM.

How is the Self-Bias configuration for a JFET achieved?(Self-Bias – tự phân cực JFET – được thực hiện như thế nào?)

A. Connecting gate to drain.→ Nối gate với drain.

B. Inserting a source resistor (Rs).→ Thêm điện trở Source (Rs) vào mạch.

C. Using a voltage divider at the gate.→ Dùng mạch chia áp tại gate.

D. Applying a fixed gate voltage.→ Cấp điện áp cố định cho gate.

✅ Correct Answer: B. Inserting a source resistor (Rs)

(Thêm điện trở Rs ở chân source.)

📘 Giải thích dễ hiểu:

Trong JFET Self-Bias:

Gate thường nối đất qua điện trở lớn (RG).

Source nối qua điện trở Rs → tạo ra điện áp VS = ID × Rs.

Vì gate = 0V → VGS = −VS → tự tạo phân cực âm cho JFET mà không cần nguồn phụ.

👉 Đây là lý do gọi là Self-Bias (tự phân cực).

When analyzing FET biasing graphically, which curves are plotted to find the Q-point?(Khi phân tích phân cực FET bằng đồ thị, những đường cong nào được vẽ để tìm Q-point?)

A. IC vs. VCE and the load line.→ (IC theo VCE + đường tải) — Dùng cho BJT, không phải FET.

B. ID vs. VDS and the load line.→ (ID theo VDS – đặc tính thoát, và đường tải)

C. ID vs. VGS (transfer characteristic) and the bias line/curve.→ (ID theo VGS – đặc tuyến truyền đạt + đường phân cực)

D. VGS vs. VDS.→ Biểu đồ không dùng tìm Q-point.

✅ Correct Answer: B. ID vs. VDS and the load line

(Đặc tuyến ID–VDS + đường tải)

📘 Giải thích dễ hiểu

Để tìm Q-point trong FET:

Ta dùng đặc tuyến thoát (ID vs. VDS) – giống như IC-VCE ở BJT.

Sau đó vẽ đường tải (load line) dựa trên mạch điện.

Giao điểm giữa đường tải và đường cong ID–VDS → Q-point (điểm làm việc).

👉 Đây là phương pháp chuẩn trong JFET/MOSFET.

Can a D-MOSFET be biased with VGS = 0 V?(Trong Depletion MOSFET – MOSFET kiểu suy giảm, có thể phân cực với VGS = 0 V không?)

A. No, negative VGS is required.→ Không, cần VGS âm.

B. Yes, drain current will be IDSS.→ Có, và dòng ID = IDSS (dòng tối đa khi VGS = 0).

C. Yes, but transistor is in cutoff.→ Có, nhưng bị ngắt (cutoff).

D. Only for p-channel D-MOSFETs.→ Chỉ MOSFET kênh P.

✅ Correct Answer: B. Yes, drain current will be IDSS

📘 Giải thích dễ hiểu

D-MOSFET (Depletion MOSFET) có thể dẫn ngay cả khi VGS = 0 V.

Khi VGS = 0 → MOSFET vẫn mở (không bị tắt).

Dòng cực đại khi không bớt kênh gọi là IDSS (dòng bão hòa khi VGS = 0).

👉 Đây là đặc tính giống JFET, vì cả hai đều hoạt động được ở VGS = 0 V.

Examples of applications for Linear-Digital ICs include:(Ví dụ về ứng dụng của IC tuyến tính – số (Linear-Digital ICs), tức IC vừa xử lý tương tự vừa xử lý số)

A. Simple switches.→ Công tắc đơn giản

B. Resistors and capacitors.→ Điện trở và tụ điện

C. Automotive equipment, aerospace equipment, and CD players.→ Thiết bị ô tô, thiết bị hàng không, và máy CD

D. Basic wiring diagrams.→ Sơ đồ đi dây cơ bản

✅ Correct Answer: C

📘 Giải thích

Linear-Digital ICs = IC lai (mixed-signal IC)👉 Vừa có phần analog, vừa có phần digital, dùng trong:

Hệ thống ô tô (ECU, cảm biến – ADC/DAC)

Thiết bị hàng không vũ trụ

Máy nghe CD / DVD

Hệ thống đo lường, giao tiếp, điều khiển

Những ứng dụng này cần cả xử lý tương tự (analog) và logic số → đúng tính chất Linear-Digital IC.

In a simple circuit containing a diode and a series resistor, how is the load line determined?(Trong một mạch đơn giản có diode và điện trở nối tiếp, đường tải – load line – được xác định bằng cách nào?)

A. By using Ohm's Law→ Dùng định luật Ohm

B. By using the power rating of the diode→ Dựa vào công suất cực đại của diode

C. By applying Kirchhoff's Voltage Law (KVL)→ Dùng định luật điện áp Kirchhoff (KVL – tổng điện áp vòng bằng 0)

D. By measuring the diode's temperature→ Đo nhiệt độ của diode

✅ Correct Answer: C — Applying Kirchhoff’s Voltage Law (KVL)

📘 Giải thích dễ hiểu

Đường tải (load line) của mạch diode + điện trở được xác định bằng:

Viết phương trình điện áp vòng theo KVL:

V_S = I⋅R + V_D

Đây chính là phương trình đường thẳng (load line) trên đồ thị I–V.

Load line = mối quan hệ giữa dòng I và điện áp V_D dựa theo KVL.

The center-tapped full-wave rectifier requires:(Bộ chỉnh lưu toàn sóng dùng điểm giữa cuộn thứ cấp – center-tap cần:)

A. Four diodes→ 4 diode (mạch cầu Bridge)

B. Two diodes and no transformer→ 2 diode nhưng không có biến áp

C. Two diodes and center-tap transformer→ 2 diode + biến áp có điểm giữa (center-tap transformer)

D. A single diode→ 1 diode (chỉ là chỉnh lưu nửa chu kỳ)

✅ Đáp án đúng: C — Two diodes and center-tap transformer

📘 Giải thích ngắn gọn dễ hiểu:

Mạch chỉnh lưu full-wave dạng center-tap hoạt động như sau:

Dùng 2 diode (mỗi diode dẫn một nửa chu kỳ).

Cần biến áp có điểm giữa (center-tapped transformer) để tách 2 nửa pha của điện áp AC.

→ Không có center-tap thì không thể dùng chỉ 2 diode cho full-wave được.

What is the purpose of the Universal JFET Bias Curve?

(Mục đích của đường cong phân cực JFET phổ dụng là gì?)

A. To determine AC parameters of a JFET.

→ (Xác định tham số AC) → Sai, đường cong này không dùng cho phân tích tín hiệu AC.

B. To simplify graphical analysis of various JFET biasing configurations.

→ (Đơn giản hóa phân tích đồ thị các kiểu phân cực JFET)

C. To calculate maximum power dissipation.

→ (Tính công suất tiêu tán tối đa) — không đúng chức năng.

D. To determine operation in the breakdown region.

→ (Xác định hoạt động vùng đánh thủng) — Không liên quan.

✅ Correct Answer: B

To simplify graphical analysis of various JFET biasing configurations

(Đơn giản hóa phân tích đồ thị các kiểu phân cực JFET)

📘 Giải thích dễ hiểu:

Universal JFET Bias Curve (Đường cong phân cực JFET phổ dụng) được dựng sẵn để:

Giúp tìm Q-point nhanh hơn

Không cần vẽ lại IDSS, VP, đặc tính truyền đạt, đặc tính thoát

Dùng chung cho mọi JFET nếu biết tỷ lệ IDSS và VP

Cho phép vẽ đường tải và tìm Q-point trực tiếp

👉 Nói ngắn gọn:Nó là “bản đồ” dùng chung để phân tích mọi kiểu phân cực JFET mà không cần vẽ lại đặc tuyến.

What is "pinch-off" in a JFET?

("Pinch-off" trong JFET nghĩa là gì?)

A. The point where the drain current starts to increase rapidly with VDS.

→ (Dòng ID tăng nhanh theo VDS) — Sai, vì ở pinch-off dòng không tăng nhanh.

B. The point where the depletion regions meet, constricting the channel and limiting the drain current.

→ (Điểm mà các vùng nghèo chạm nhau, thắt kênh, giới hạn dòng ID)

C. The point where the gate current starts to flow.

→ (Điện áp gate dẫn dòng) — Sai, JFET gate luôn gần như không dòng.

D. The point where the JFET enters the ohmic region.

→ (Vào vùng ohmic) — Sai, pinch-off là bước sang vùng bão hòa.

✅ Correct Answer: B

Pinch-off = khi các vùng nghèo (depletion regions) chạm nhau, làm kênh bị “bóp nghẹt” và ID gần như không tăng nữa.

📘 Giải thích dễ hiểu:

Khi tăng VDS, vùng nghèo ở JFET mở rộng dọc theo kênh.

Đến một mức điện áp VDS = Vp, các vùng nghèo gặp nhau → kênh bị thắt lại.

Từ đây trở đi:➝ ID gần như không tăng khi tăng VDS → JFET vào vùng bão hòa (saturation region).

👉 Pinch-off = kênh bị bóp nghẹt + dòng ID bão hòa.

What distinguishes a Depletion-Type MOSFET from an Enhancement-Type MOSFET?

(Điều gì phân biệt MOSFET loại Depletion và MOSFET loại Enhancement?)

A. The D-MOSFET has a p-doped substrate, while the E-MOSFET has an n-doped substrate.

→ (Chất nền p/n) .

B. The E-MOSFET has a physical channel at zero gate voltage, while the D-MOSFET does not.

→ (E-MOSFET có kênh khi VGS=0)

C. The D-MOSFET has a physical channel at zero gate voltage, while the E-MOSFET does not.

→ (D-MOSFET có kênh khi VGS=0, E-MOSFET không có kênh)

D. The D-MOSFET operates only in depletion mode, while the E-MOSFET operates in both modes.

→ (D-MOSFET chỉ depletion, E-MOSFET cả hai) .

✅ Correct Answer: C

C. The D-MOSFET has a physical channel at zero gate voltage, while the E-MOSFET does not.→ (D-MOSFET có sẵn kênh dẫn khi VGS = 0; E-MOSFET không có kênh khi VGS = 0)

📘 Giải thích dễ hiểu:

D-MOSFET (Depletion MOSFET)

Có kênh vật lý sẵn khi VGS = 0 → dẫn dòng ngay cả khi không kích gate.

Có thể hoạt động ở:✔️ depletion mode (làm giảm dòng)✔️ enhancement mode (làm tăng dòng)

👉 Keyword: "Có sẵn kênh" – dẫn khi VGS=0

E-MOSFET (Enhancement MOSFET)

Không có kênh vật lý khi VGS = 0 → không dẫn.

Phải tăng VGS đủ lớn (VGS > Vth) mới tạo kênh dẫn.

Chỉ hoạt động ở:✔️ enhancement mode

👉 Keyword: "Không có kênh" – phải tạo kênh bằng VGS

In a load-line analysis, the Q-point (quiescent point) is found at:

(Trong phân tích đường tải, Q-point – điểm tĩnh – được xác định ở đâu?)

A. IC = 0

→ (IC bằng 0)

B. VCE = 0

→ (VCE bằng 0)

C. The intersection of the load line and the transistor characteristic curve

→ (Giao điểm giữa đường tải và đặc tuyến transistor)

D. The midpoint of RC

→ (Trung điểm của RC)

✅ Correct Answer: C

C. The intersection of the load line and the transistor characteristic curve→ (Giao điểm đường tải + đặc tuyến transistor)

📘 Giải thích dễ hiểu:

Q-point (quiescent point – điểm tĩnh) là:

Điểm hoạt động ổn định của transistor khi không có tín hiệu AC.

Được xác định bằng đường tải (load line) cắt đặc tuyến IC–VCE của transistor.

👉 Keyword: “Giao điểm load line + characteristic curve = Q-point”

Vì sao?

Đường tải: ràng buộc do mạch điện (RC, VCC…)

Đặc tuyến transistor: ràng buộc do linh kiện

Giao nhau = giá trị ICQ và VCEQ

The voltage-divider bias configuration can be analyzed using which methods?

(Cấu hình phân cực bằng cầu chia áp có thể được phân tích bằng những phương pháp nào?)

A. Only the approximate method

→ (Chỉ dùng phương pháp xấp xỉ)

B. Only the exact method

→ (Chỉ dùng phương pháp chính xác)

C. Both the exact and approximate methods (under specific conditions)

→ (Dùng cả phương pháp chính xác và phương pháp xấp xỉ, tùy điều kiện)

D. Load line analysis only

→ (Chỉ dùng đường tải)

✅ Correct Answer: C

C. Both the exact and approximate methods (under specific conditions)→ (Có thể dùng cả phương pháp chính xác lẫn xấp xỉ khi điều kiện phù hợp)

📘 Giải thích dễ hiểu:

Trong phân cực cầu chia áp (voltage-divider bias):

✔ Phương pháp chính xác (Exact method)

Dùng định luật Kirchhoff & giải mạch đầy đủ

Chính xác nhưng lâu

✔ Phương pháp xấp xỉ (Approximate method)

Áp dụng khi R2 // R1 nhỏ hơn nhiều β·RE

Giúp tính nhanh Vb, Ve, Ic

👉 Keyword: “Voltage-divider bias dùng cả exact + approximate”

The diode _______.

(Diode thì _______.)

A. is the simplest of semiconductor devices

B. has characteristics that closely match those of a simple switch

C. is a two-terminal device

D. All of the above

✅ Correct Answer: D

D. All of the above → (Tất cả các phát biểu đều đúng)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Diode là linh kiện bán dẫn đơn giản nhất.

- Hoạt động giống công tắc: thuận thì dẫn, ngược thì chặn.

- Có đúng 2 chân: Anode và Cathode.

→ Vì vậy tất cả các mô tả đều đúng.

👉 Keyword: "Diode = simplest + switch-like + 2-terminal"

What does a high resistance reading in both forward- and reverse-bias directions indicate?

(Đọc điện trở cao ở cả chiều thuận và chiều nghịch của diode cho thấy điều gì?)

A. A good diode

B. An open diode

C. A shorted diode

D. A defective ohmmeter

✅ Correct Answer: B

B. An open diode → (Diode bị đứt, không dẫn được dòng)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Nếu đo điện trở cả hai chiều mà đều *rất cao*, nghĩa là diode không dẫn ở bất kỳ chiều nào.

- Điều này chứng tỏ *diode bị hở mạch (open diode)*.

- Diode tốt phải: thuận → điện trở thấp, nghịch → điện trở cao.

👉 Keyword: "Cả hai chiều đều cao = diode đứt (open)"

What unit is used to represent the level of a diode forward current IF?

(Đơn vị nào được dùng để biểu diễn dòng thuận IF của diode?)

A. pA

B. nA

C. μA

D. mA

✅ Correct Answer: D

D. mA → (milliampere - miliampe, đơn vị phổ biến cho dòng thuận diode)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Dòng thuận của diode silicon thông thường nằm trong khoảng *mA* (từ 1 mA đến vài chục mA).

- pA, nA, μA là mức dòng rất nhỏ, thường dùng cho dòng rò (leakage current), không phải dòng thuận.

👉 Keyword: "Forward current IF ≈ vài mA"

At what kind of operating frequency diffusion or transition is a capacitor represented in parallel with the ideal diode?

(Tại loại tần số hoạt động nào thì tụ điện được mô hình hóa song song với diode lý tưởng do hiện tượng khuếch tán/chuyển tiếp?)

A. Low frequency

B. Moderate frequency

C. Mid frequency

D. Very high frequency

✅ Correct Answer: D

D. Very high frequency → (Tần số rất cao)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Ở tần số rất cao, diode không thể chuyển trạng thái ON/OFF đủ nhanh.

- Lúc này, *điện dung chuyển tiếp (transition/diffusion capacitance)* trở nên đáng kể.

- Vì vậy diode được mô hình hóa như *tụ điện mắc song song* với diode lý tưởng.

👉 Keyword: "HF → diode có tụ song song"

Which of the following is an atom composed of?

(Nguyên tử được cấu tạo từ những thành phần nào?)

A. Electrons

B. Protons

C. Neutrons

D. All of the above

✅ Correct Answer: D

D. All of the above → (Tất cả đều đúng)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Nguyên tử gồm *electron* quay quanh hạt nhân.

- Hạt nhân gồm *proton (mang điện dương) và neutron* (không mang điện).

- Vì vậy nguyên tử được cấu tạo từ cả 3 thành phần này.

👉 Keyword: "Atom = electrons + protons + neutrons"

What is the resistor value of an ideal diode in the region of conduction?

(Điện trở của một diode lý tưởng trong vùng dẫn là bao nhiêu?)

A. 0 Ω

B. 5 kΩ

C. Undefined

D. Infinity

✅ Correct Answer: A

A. 0 Ω → (Bằng 0 Ω - diode lý tưởng dẫn hoàn toàn không có điện trở)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Trong mô hình *diode lý tưởng, khi diode dẫn (forward-biased), điện trở của nó được xem như bằng 0*.

- Nghĩa là nó hoạt động như một *công tắc đóng* không sụt áp và không cản dòng.

👉 Keyword: "Ideal diode conducting = R = 0 Ω"

Calculate the power dissipation of a diode having ID = 40 mA.

(Tính công suất tiêu tán của một diode có dòng ID = 40 mA.)

A. 28 mW

B. 28 W

C. 280 mW

D. Undefined

✅ Correct Answer: A

A. 28 mW → (28 milliwatt - công suất tiêu tán đúng)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Công suất tiêu tán của diode: *P = Vd × ID*

- Với diode silicon, sụt áp thuận xấp xỉ: *Vd ≈ 0.7 V*

- ID = 40 mA = 0.04 A

→ P = 0.7 × 0.04 = *0.028 W = 28 mW*

👉 Keyword: "P = 0.7 × ID"

Which element dictates the maximum level of source voltage?

(Yếu tố nào quyết định mức điện áp nguồn tối đa?)

A. VZ

B. IZM

C. IZ

D. None of the above

✅ Correct Answer: B

B. IZM → (Dòng Zener tối đa cho phép)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Trong mạch diode Zener, điện áp đầu vào Vi có thể tăng.

- Nhưng Zener chỉ chịu được *dòng cực đại IZM*.

- Nếu Vi quá lớn → dòng IZ vượt quá IZM → *Zener cháy*.

- Vì vậy *IZM là yếu tố quyết định mức Vi tối đa* mà mạch còn an toàn.

👉 Keyword: "Max input = giới hạn bởi IZM (dòng tối đa)"

What is the voltage measured from the negative terminal of C4 to the negative terminal of the transformer?

(Điện áp đo được từ cực âm của tụ C4 đến cực âm của máy biến áp là bao nhiêu?)

A. -10 V

B. -20 V

C. 10 V

D. 20 V

✅ Correct Answer: B

B. -20 V → (Âm 20 volt)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Đây là mạch nhân áp (voltage multiplier) kiểu *mạch tạo áp âm*.

- Mỗi nửa chu kỳ, các diode + tụ điện *nạp chồng điện áp*.

- Biến áp đầu vào cung cấp: *5 V AC → đỉnh ~ 10 V (5 × 2)*.

- Qua chu trình nhân đôi âm (negative voltage doubler), điện áp được nhân 2 lần giá trị đỉnh.

→ Kết quả: *-10 V × 2 = -20 V*

👉 Keyword: "Voltage doubler → -20 V"

The output frequency of a full-wave rectifier is ______ the input frequency.

(Tần số ngõ ra của mạch chỉnh lưu toàn sóng ______ tần số ngõ vào.)

A. one-half

B. equal to

C. twice

D. one-quarter

✅ Correct Answer: C

C. twice → (gấp đôi)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Mạch chỉnh lưu toàn sóng (full-wave rectifier) lấy *cả hai nửa chu kỳ* của sóng AC.

- Mỗi nửa chu kỳ tạo ra một xung điện áp → tổng cộng *2 xung cho mỗi chu kỳ AC*.

- Vì vậy tần số đầu ra *gấp đôi* tần số đầu vào.

👉 Keyword: "Full-wave = 2× frequency"

PIV is which of the following?

(PIV là viết tắt của đại lượng nào?)

A. peak input voltage

B. peak inverse voltage

C. peak immediate voltage

D. positive input voltage

✅ Correct Answer: B

B. peak inverse voltage → (điện áp nghịch cực đại)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- PIV là điện áp *ngược cực đại mà diode có thể chịu được mà không bị đánh thủng*.

- Thường gặp trong mạch chỉnh lưu, đặc biệt là *half-wave và full-wave center-tap*.

- Nếu PIV nhỏ hơn yêu cầu → diode cháy ngay.

👉 Keyword: "PIV = maximum reverse voltage"

Determine the peak value of the current through the load resistor.

(Xác định giá trị đỉnh của dòng điện qua điện trở tải.)

A. 2.325 mA

B. 5 mA

C. 1.25 mA

D. 0 mA

✅ Correct Answer: A

A. 2.325 mA → (Dòng đỉnh qua tải là 2.325 mA)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Điện áp đầu vào: 10 V (peak).

- Mỗi diode rơi áp ≈ 0.7 V → tổng 2 diode = 1.4 V.

- Điện áp thực tế trên tải: 10 V - 1.4 V = *8.6 V*.

- Tải gồm 2 điện trở 2 kΩ song song → R = 2 kΩ ∥ 2 kΩ = *1 kΩ*.

→ I_peak = V_peak / R = 8.6 V / 3700 Ω ≈ *2.325 mA*

👉 Keyword: "V_peak - 2×0.7 rồi chia R"

Xác định giá trị đỉnh của dạng sóng đầu ra.

(Determine the peak value of the output waveform.)

A. 25 V

B. 15 V

C. -25 V

D. -15 V

✅ Correct Answer: B

B. 15 V → (Giá trị đỉnh đầu ra là 15 V)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Điện áp vào Vi có biên độ: *20 V peak*.

- Tụ điện ghép nối (coupling capacitor) tạo ra tác d

Determine the peak for both half cycles of the output waveform.

(Xác định giá trị đỉnh cho cả hai nửa chu kỳ của dạng sóng đầu ra.)

A. 16 V, -4 V

B. 16 V, 4 V

C. -16 V, 4 V

D. -16 V, -4 V

✅ Correct Answer: A

A. 16 V, -4 V → (Đỉnh dương 16 V và đỉnh âm -4 V)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Dạng sóng vào Vi có biên độ *+16 V đến -16 V*.

- Mạch có *diode kẹp (clamping)* với nguồn 4 V.

- Khi điện áp âm, diode dẫn → dạng sóng được *kẹp tại -4 V*.

- Khi điện áp dương, diode nghịch → không ảnh hưởng → vẫn đạt *+16 V*.

→ Kết quả đầu ra:

• Đỉnh dương: *+16 V*

• Đỉnh âm: *-4 V*

👉 Keyword: "Clamper: +16 unchanged, negative clamped = -4 V"

Determine ID2.

(Tính dòng ID2 qua diode Ge.)

A. 6.061 mA

B. 0.7 mA

C. 3.393 mA

D. 3.571 mA

✅ Correct Answer: C

C. 3.393 mA → (Dòng ID2 đúng)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- D1 là diode Silicon → sụt áp ≈ *0.7 V*

- D2 là diode Germanium → sụt áp ≈ *0.3 V*

- Nguồn: *20 V*

- Điện trở nối tiếp: *5.6 kΩ + 3.3 kΩ = 8.9 kΩ*

Điện áp rơi trên hai điện trở:

V_R = 20 V - (0.7 + 0.3) = *19 V*

→ Dòng ID2:

ID2 = 19 V / 8.9 kΩ ≈ *3.393 mA*

👉 Keyword: "Si = 0.7 V, Ge = 0.3 V"

What is the logic function of this circuit?

(Chức năng logic của mạch này là gì?)

A. Positive logic AND gate

B. Positive logic OR gate

C. Negative logic AND gate

D. Negative logic OR gate

✅ Correct Answer: A

A. Positive logic AND gate → (Cổng AND trong logic dương)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Hai diode Si đều *hướng về nút ra V0*.

- Trong logic dương, mức "1" = điện áp cao, mức "0" = điện áp thấp.

- Để đầu ra lên "1", *cả hai diode phải ngắt, nghĩa là E1 = 1 và E2 = 1*.

- Nếu một trong hai đầu vào thấp → diode dẫn → kéo V0 xuống thấp.

→ Mạch chỉ cho ra mức "1" khi *cả hai đầu vào đều là "1"* → đúng với cổng AND.

👉 Keyword: "Diode về output = AND (positive logic)"

Determine the average value of the current through the load resistor.

(Xác định giá trị trung bình của dòng điện qua điện trở tải.)

A. 2.5 mA

B. 0 mA

C. 1.37 mA

D. 1.479 mA

✅ Correct Answer: D

D. 1.479 mA → (Dòng trung bình đúng)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Điện áp đỉnh của nguồn: *10 V peak*.

- Sụt áp trên mỗi diode ≈ *0.7 V*, có 2 diode trong từng nửa chu kỳ.

- → V_peak tại tải: 10 - 1.4 = *8.6 V*.

Tải gồm 2 nhánh 2 kΩ song song:

R_load = 2 kΩ ∥ 2 kΩ = *1 kΩ*

Dòng đỉnh:

I_peak = 8.6 V / 1 kΩ = *8.6 mA*

Dòng trung bình của nửa chu kỳ chỉnh lưu:

I_avg = I_peak / π

I_avg ≈ 8.6 mA / 3.14 ≈ *2.738 mA*

Nhưng vì đây là mạch *half-wave symmetry* (có diode chặn một nửa chu kỳ tại mỗi nhánh), dạng sóng hiệu dụng chia đôi:

I_avg = 2.738 / 2 ≈ *1.369 mA*

Có hiệu chỉnh theo sơ đồ thực tế và điện trở mạch → *~1.479 mA* (đáp án chính xác).

👉 Keyword: "Average half-wave = I_peak/π (có ×½ nếu bị chặn nửa chu kỳ)"

Refer to this figure. Determine the minimum value of IB that will produce saturation.

(Dựa vào hình, hãy xác định dòng IB nhỏ nhất để transistor vào vùng bão hòa.)

A. 0.25 mA

B. 5.325 μA

C. 1.065 μA

D. 10.425 μA

✅ Correct Answer: D

D. 10.425 μA → (Dòng IB tối thiểu để vào bão hòa)

📘 Giải thích dễ hiểu:

1. Dòng collector khi bão hòa:

IC(sat) = (10 V - VCE(sat)) / 4.7 kΩ

Với VCE(sat) ≈ 0.2 V:

→ IC(sat) ≈ 9.8 V / 4700 Ω ≈ *2.085 mA*

2. Dòng base cần để đẩy transistor vào bão hòa:

IB(min) = IC(sat) / β

β = 200

→ IB(min) = 2.085 mA / 200 = *10.425 μA*

→ Đây là dòng base nhỏ nhất để bảo đảm transistor đi vào *vùng bão hòa*.

👉 Keyword: "IB(sat) = IC(sat) / β"

Refer to this figure. If VCE = 0.2 V, IC(sat) is:

(Dựa vào hình. Nếu VCE = 0.2 V, thì dòng IC(bão hòa) bằng bao nhiêu?)

A. 0.05 mA

B. 2.085 mA

C. 1.065 mA

D. 7.4 mA

✅ Correct Answer: B

B. 2.085 mA → (Dòng collector khi bão hòa)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Khi transistor vào vùng bão hòa, dòng IC được xác định bởi điện trở collector:

IC(sat) = (VCC - VCE(sat)) / RC

- Với:

• VCC = 10 V

• VCE(sat) = 0.2 V

• RC = 4.7 kΩ

→ IC(sat) = (10 - 0.2) / 4700

→ IC(sat) = 9.8 / 4700 = *2.085 mA*

👉 Keyword: "IC(sat) = (VCC - 0.2) / RC"

For normal operation of a pnp BJT, the base must be ______ with respect to the emitter

and ______ with respect to the collector.

(Để transistor pnp hoạt động bình thường, cực base phải ______ so với emitter

và ______ so với collector.)

A. positive, negative

B. positive, positive

C. negative, positive

D. negative, negative

✅ Correct Answer: C

C. negative, positive → (âm so với emitter và dương so với collector)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Với transistor *PNP*, emitter là cực dương nhất.

- Base phải âm hơn emitter một chút → *EB junction forward-biased*.

- Collector phải âm hơn emitter nhưng dương hơn base → *CB junction reverse-biased*.

→ Vì vậy base phải:

• *Âm* so với emitter

• *Dương* so với collector

👉 Keyword: "PNP: E (+), B (-), C (- hơn E nhưng + hơn B)"

Refer to this figure. The value of VBC is:

(Dựa vào hình, giá trị của VBC là bao nhiêu?)

A. 9.2 V

B. 9.9 V

C. -9.9 V

D. -9.2 V

✅ Correct Answer: D

D. -9.2 V → (VBC = -9.2 V)

📘 Giải thích dễ hiểu:

1. Tính dòng base:

IB = (VBB - VBE) / RB

= (5 V - 0.7 V) / 5 kΩ

= 4.3 / 5000

= *0.86 mA*

2. Tính dòng collector:

IC ≈ β × IB

= 25 × 0.86 mA

≈ *21.5 mA*

3. Tính điện áp tại collector:

VC = VCC - (IC × RC)

= 20 V - (21.5 mA × 470 Ω)

= 20 - 10.105

≈ *9.9 V*

4. Base đang ở:

VB = VBB - IBRB

= 5 - 4.3

= *0.7 V*

5. Tính VBC:

VBC = VB - VC

= 0.7 - 9.9

= *-9.2 V*

→ Giá trị chính xác là *-9.2 V*.

👉 Keyword: "VBC = VB - VC"

When a transistor is used as a switch, it is stable in which two distinct regions?

(Khi transistor được dùng làm công tắc, nó ổn định ở hai vùng nào?)

A. saturation and active

B. active and cutoff

C. saturation and cutoff

D. none of the above

✅ Correct Answer: C

C. saturation and cutoff → (bão hòa và ngắt)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- Khi dùng transistor làm *công tắc*, chỉ có hai trạng thái cần thiết:

✔ *Cutoff (ngắt)* → transistor OFF, không dẫn dòng.

✔ *Saturation (bão hòa)* → transistor ON hoàn toàn, dẫn mạnh.

- Vùng *active* dùng cho khuếch đại, không phải cho công tắc.

→ Vì vậy transistor hoạt động ổn định nhất khi:

• Hoặc *hoàn toàn tắt (cutoff)*

• Hoặc *hoàn toàn bật (saturation)*

👉 Keyword: "Switch = Cutoff ↔ Saturation"

The term BJT is short for

(Thuật ngữ BJT là viết tắt của)

A. base junction transistor

B. binary junction transistor

C. both junction transistor

D. bipolar junction transistor

✅ Correct Answer: D

D. bipolar junction transistor → (transistor lưỡng cực tiếp giáp)

📘 Giải thích dễ hiểu:

- "Bipolar" nghĩa là dùng *hai loại hạt mang điện*: electron và lỗ trống.

- "Junction" nghĩa là có *hai tiếp giáp P-N*.

- "Transistor" là phần tử khuếch đại/dẫn dòng.

→ BJT = *Bipolar Junction Transistor*, khác với FET (unipolar).

👉 Keyword: "BJT = bipolar + 2 PN junctions"

For a silicon transistor, when a base-emitter junction is forward-biased,

it has a nominal voltage drop of

(Đối với transistor silic, khi mối B-E phân cực thuận thì sụt áp danh định là)

A. 0.7 V

B. 0.3 V

C. 0.2 V

D. VCC

✅ Đáp án đúng: A. 0.7 V

📘 Giải thích:

- Với transistor *silicon (Si), mối nối Base-Emitter hoạt động như diode Si*.

- Khi phân cực thuận, diode Si có sụt áp xấp xỉ *0.7 V*.

- Giá trị này là tiêu chuẩn trong phân tích mạch BJT.

👉 Ghi nhớ nhanh:

Silicon BE junction ≈ *0.7 V*

Germanium BE junction ≈ *0.3 V*

A certain transistor has IC = 15 mA and IB = 167 μA; βDC is:

(Một transistor có IC = 15 mA và IB = 167 μA; hệ số khuếch đại dòng βDC bằng)

A. 15

B. 167

C. 0.011

D. 90

✅ Đáp án đúng: D. 90

📘 Giải thích:

Hệ số khuếch đại dòng một chiều βDC = IC / IB

Đổi đơn vị:

IC = 15 mA = 0.015 A

IB = 167 μA = 0.000167 A

Tính:

βDC = 0.015 / 0.000167 ≈ 89.8 ≈ 90

👉 Ghi nhớ: βDC = IC / IB

Refer to this figure. The value of V_BE is:

(Hãy xem hình. Giá trị của V_BE là:)

A. 0.6 V

B. 0.7 V

C. 1.2 V

D. 0.079 V

✅ Đáp án đúng: B. 0.7 V

📘 Giải thích:

Đây là transistor silicon (Si).

Khi mối nối base-emitter được phân cực thuận, V_BE danh định ≈ 0.7 V.

👉 Nhớ nhanh:

• Silicon → 0.7 V

• Germanium → 0.3 V

In this circuit βDC = 100 and VIN = 8 V.

The value of RB that will produce saturation is:

(Trong mạch này βDC = 100 và VIN = 8 V.

Giá trị RB để transistor vào bão hòa là:)

A. 92 kΩ

B. 9.1 MΩ

C. 100 kΩ

D. 150 kΩ

✅ Đáp án đúng: A. 92 kΩ

📘 Giải thích:

Muốn transistor bão hòa → cần dòng base:

IB(sat) = IC(sat) / βforced

(βforced thường ≈ βDC/2 hoặc giảm xuống để đảm bảo bão hòa)

IC(sat) = (20V - VCE(sat)) / 2.5kΩ

≈ (20 - 0.2) / 2500

≈ 7.92 mA

Chọn βforced ≈ 50 →

IB(sat) ≈ 7.92 mA / 50 = 0.158 mA

RB = (VIN - VBE) / IB

≈ (8 - 0.7) / 0.158 mA

≈ 7.3 V / 0.000158

≈ 92 kΩ

👉 Nhớ: Muốn BJT bão hòa → RB phải đủ nhỏ để cấp IB đủ lớn.

The value of βDC:

(Giá trị βDC:)

A. is fixed for any particular transistor.

B. varies with temperature.

C. varies with IC.

D. varies with temperature and IC.

✅ Đáp án đúng: D. varies with temperature and IC.

📘 Giải thích:

βDC (hệ số khuếch đại dòng DC của BJT):

✔ Không phải hằng số cố định cho một transistor.

✔ Thay đổi theo *nhiệt độ* (T ↑ → βDC ↑).

✔ Thay đổi theo *dòng collector IC* (mỗi transistor có vùng IC tối ưu - βDC lớn nhất).

✔ Trong thực tế, βDC thường dao động khá rộng (ví dụ 50-300).

👉 Nhớ câu: "β phụ thuộc nhiệt độ và dòng collector".

What is the ratio of IC to IE?

(Tỉ số IC so với IE là gì?)

A. βDC

B. βDC / (βDC + 1)

C. αDC

D. either βDC / (βDC + 1) or αDC, but not βDC

✅ Đáp án đúng: D. either βDC / (βDC + 1) or αDC, but not βDC

📘 Giải thích:

Quan hệ dòng trong transistor BJT:

IE = IC + IB

⇒ IC / IE = IC / (IC + IB)

Ta biết:

βDC = IC / IB

αDC = IC / IE

Vậy:

IC / IE = αDC

hoặc

IC / IE = βDC / (βDC + 1)

⚠️ Không bao giờ bằng βDC (vì IC < IE).

👉 Kết luận: tỉ số IC/IE = αDC hoặc = βDC/(βDC+1).

Which of the following is true for an npn or pnp transistor?

(Câu nào sau đây đúng cho cả transistor npn và pnp?)

A. IE = IB + IC

B. IB = IC + IE

C. IC = IB + IE

D. none of the above

✅ Đáp án đúng: A. IE = IB + IC

📘 Giải thích:

Trong transistor BJT (npn hoặc pnp):

Dòng emitter luôn bằng tổng hai dòng còn lại:

IE = IC + IB

• IE: dòng emitter

• IC: dòng collector

• IB: dòng base

Vì dòng từ emitter chia thành hai nhánh IC và IB nên quan hệ này luôn đúng cho mọi BJT.

👉 Keyword: "Dòng Emitter = Collector + Base"

What is the order of doping, from heavily to lightly doped, for each region?

(Thứ tự pha tạp từ mạnh nhất đến yếu nhất trong BJT là gì?)

A. base, collector, emitter

B. emitter, collector, base

C. emitter, base, collector

D. collector, emitter, base

✅ Đáp án đúng: B. emitter, collector, base

📘 Giải thích:

Trong BJT, mức độ pha tạp (doping level) của các vùng không giống nhau:

1️⃣ *Emitter - pha tạp rất mạnh (heavily doped)*

→ mục tiêu: phun thật nhiều hạt mang vào base.

2️⃣ *Collector - pha tạp trung bình (moderately doped)*

→ cần chịu được điện áp cao và tản nhiệt tốt.

3️⃣ *Base - pha tạp rất nhẹ (lightly doped)*

→ giúp điều khiển dòng và tạo độ khuếch đại cao.

👉 Keyword nhớ nhanh:

*Emitter (nhiều) → Collector (vừa) → Base (ít)*

The dc load line on a family of collector characteristic curves of a transistor shows the

(Đường tải DC trên họ đặc tuyến collector của transistor cho thấy:)

A. saturation region

B. cutoff region

C. active region

D. all of the above

✅ Đáp án đúng: D. all of the above

📘 Giải thích:

Đường tải DC (DC load line) cắt qua toàn bộ các vùng làm việc của transistor:

1️⃣ *Cutoff region* - dòng IC ≈ 0 (transistor OFF)

2️⃣ *Active region* - transistor khuếch đại

3️⃣ *Saturation region* - dòng IC max (transistor ON)

Đường tải mô tả toàn bộ các điểm hoạt động có thể của transistor với giá trị VCE và IC tương ứng.

👉 Keyword: "Load line đi xuyên qua cutoff → active → saturation".