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Set di flashcards di vocabolario per i concetti chiave del Capitolo 5 sulle proprietà plastiche dei solidi cristallini.
Name | Mastery | Learn | Test | Matching | Spaced |
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Plasticità
Concetto di deformazione plastica nei materiali cristallini: scorrimento dei piani a minor energia tramite dislocazioni, formazione di nuove dislocazioni (sorgenti Frank–Read), blocco delle dislocazioni sui bordi dei grani e incrudimento; processo irreversibile con DV=0 e aumento di forza.
Dislocazioni
Difetti lineari nel reticolo che permettono lo scorrimento dei piani cristallini e quindi la deformazione plastica.
Sorgenti Frank-Read
Meccanismi che generano nuove dislocazioni durante la deformazione, contribuendo all’incrudimento.
Incrudimento
Aumento della resistenza meccanica dovuto all’aumento del numero/delle interazioni tra dislocazioni; dipende dal numero di piani e di direzioni di scorrimento disponibili.
CCC (reticolo cubico a corpo centrato)
Struttura crystal: piani di massima densità atomica tipicamente diagonali; direzioni di scorrimento disponibili per piano.
CFC (reticolo cubico a facce centrate)
Struttura crystal con piani di massima densità atomica pari a 12; direzioni di scorrimento totali maggiore rispetto al CCC.
EC (struttura specifica mostrata)
Reticolo con piani di massima densità atomica pari a 2 e direzioni di scorrimento pari a 3 per piano (totale 6).
Piani di massima densità atomica
Piani con la maggiore densità di atomi; CCC: 6 piani, CFC: 12 piani, EC: 2 piani.
Direzioni di scorrimento
Direzioni lungo le quali possono avvenire gli scorrimenti: CCC → 12, CFC → 30, EC → 6 direzioni totali.
Distanza interatomica r0
Distanza tipica tra atomi adiacenti nel reticolo; importante per stimare le scale di spostamento durante lo scorrimento.
distanza tra piani h
Distanza tra piani cristallini adiacenti, usata nel calcolo delle reticolarità e della tensione di scorrimento.
Modulo di elasticità tangenziale (G)
Constante elastica tangenziale; G = E/(2(1+ν)); utilizata per stimare la relazione tra forza tangenziale e deformazione nel regime elastico.
Tensione di scorrimento τ
Tensione tangenziale necessaria per provocare lo scorrimento dei piani cristallini.
τmax (tensione di scorrimento massima)
Valore massimo della tensione tangenziale durante lo scorrimento; dipende dal materiale.
Atmosfera di Cottrell
Migrazione di atomi e vacanze intorno alle dislocazioni per ri-ottenere equilibrio energetico; facilita il movimento delle dislocazioni in determinate regioni.
Dislocazioni (densità ρ)
Numero di dislocazioni per unità di volume; espressa come ρ = ρ0 + α εP^β, dove ρ0 è il numero iniziale e α, β dipendono dal materiale.
Equazione di incremento della resistenza (σ = c ρ)
Resistenza σ proporzionale alla densità di dislocazioni ρ: σ = c ρ (c dipende dal materiale).
Acciai ipoeutettoidi
Acciai con carbonio < 0,8%.
Acciai ipereutettoidi
Acciai con 0,8% < C < 2,06%.
Carbonio interstiziale
Carbonio presente negli interstizi del reticolo del ferro; agisce come difetto puntuale ed influenza lo snervamento e l’incrudimento.
Grafico tensione-deformazione (s–e) AB, BC, CD, DE
Sequenza tipica: AB elastico, BC incremento di dislocazioni (cracking/incrudimento), CD pianerottolo (alta densità di dislocazioni), DE incrudimento.
Effetto Bauschinger
Fenomeno per cui l’incrudimento modifica la risposta in compressione rispetto all’allungamento, con s* e sS in configurazioni opposte.
Pre-deformazione e invecchiamento
Effetti dell’incrudimento dovuti a deformazione iniziale seguita da mantenimento a temperatura che evolve nel tempo; induce modifiche della risposta meccanica.
Equazione di Petch
Relazione σ = σi + k d^(-1/2) descrive l’aumento della resistenza con la riduzione della dimensione dei grani (d) dovuto all’effetto dei bordi dei grani sull’incrudimento.
Effetti dei bordi dei grani sull’incrudimento
Ne policristalli i bordi dei grani ostacolano lo scorrimento, aumentando l’incrudimento; σ = σi + k d^(-1/2).
Riassetto (Ricupero e Ricristallizzazione)
Fenomeni che avvengono a caldo, opposti all’incrudimento: recupero (ridispersione delle dislocazioni) e ricristallizzazione (nuovi grani, minore densità di dislocazioni).
Ricupero e ricristallizzazione (range)
Processi a temperature elevate che riducono le dislocazioni e ricostituiscono la struttura, riducendo l’incrudimento.
Strizione
Diminuzione repentina della tensione durante la deformazione plastica causata dal restringimento macroscopico della sezione della provetta; differenza tra tensione ingegneristica e vera.
Tensione vera vs tensione ingegneristica
La tensione vera considerata con A reale aumenta durante la deformazione, mentre la tensione ingegneristica usa A0; durante la strizione la tensione vera rimane maggiore.
Rottura (sR e EF)
Punto di rottura sR (resistenza a trazione) e punto EF (massimo della curva s-e; valore utile per valutare la resistenza a trazione del materiale).