Électronique Analogique : Transistors à Effet de Champ et Polarisation

Flashcards de vocabulaire et concepts clés sur les transistors JFET et MOSFET, incluant leurs paramètres, caractéristiques de transfert et méthodes de polarisation, basées sur le cours d'Électronique analogique 2022-2023.

JFET

Transistor à effet de champ à jonction où deux régions de type P sont coulées dans un matériau de type N (pour un canal N) pour former un canal relié à la borne appelée la grille.

Drain

Nom de la partie supérieure d’un JFET à canal N.

Source

Nom de la partie inférieure d’un JFET à canal N.

Région ohmique

Zone de la caractéristique du JFET où le courant $I_D$ augmente proportionnellement à $V_{DS}$ car la région d'appauvrissement n'est pas assez large.

Tension de pincement ($V_P$)

Valeur de $V_{DS}$ à partir de laquelle le courant $I_D$ demeure constant lorsque la tension de grille $V_{GS} = 0V$.

Courant $I_{DSS}$

Courant allant du drain à la source lorsque la grille est en court-circuit ; il représente le courant de drain maximal qu’un JFET peut produire.

Claquage

Phénomène survenant lorsque le courant $I_D$ augmente très rapidement pour toute nouvelle augmentation de $V_{DS}$ au-delà du point C.

Tension de blocage ($V_{GS(off)}$)

Tension entre la grille et la source pour laquelle le courant $I_D$ vaut approximativement zéro car le canal est entièrement obstrué.

Équation de la courbe caractéristique du JFET

$$I_D = I_{DSS} \times (1 - \frac{V_{GS}}{V_{GS(off)}})^2$$

Transconductance directe de transfert ($g_m$)

Variation du courant de drain pour une variation donnée de la tension entre la grille et la source, définie par $g_m = \frac{\triangle I_D}{\triangle V_{GS}}$.

$$g_{m0}$$

Valeur de la transconductance de transfert définie par la formule $g_{m0} = \frac{2I_{DSS}}{|V_{GS(off)}|}$.

Résistance drain-source ($r'_{ds}$)

Ratio des variations de tension et de courant défini par $r'_{ds} = \frac{\triangle V_{DS}}{\triangle I_D}$.

Polarisation automatique

Type de polarisation où $I_S$ produit une chute de tension aux bornes de $R_S$ maintenant la source positive par rapport à la masse, avec $V_{GS} = -I_D R_S$.

Polarisation avec point Q centré

Configuration permettant une oscillation maximale du courant entre $I_{DSS}$ et $0$, obtenue quand $I_D = \frac{I_{DSS}}{2}$.

D-MOSFET

MOSFET à appauvrissement possédant une grille isolée qui peut fonctionner en régime d'appauvrissement (tension négative) ou d'enrichissement (tension positive).

Régime d'appauvrissement

Mode de fonctionnement où une tension négative appliquée à la grille repousse les électrons de conduction, diminuant la conductibilité du canal.

Régime d'enrichissement

Mode de fonctionnement où une tension positive appliquée à la grille attire plus d'électrons, augmentant la conductibilité du canal.

E-MOSFET

MOSFET à enrichissement fonctionnant seulement en régime d'enrichissement au-dessus d'une tension de seuil.

Tension de seuil ($V_{GS(th)}$)

Tension de grille minimale à partir de laquelle un courant de drain commence à circuler dans un E-MOSFET.

Équation de la courbe du E-MOSFET

$I_D = K \times (V_{GS} - V_{GS(th)})^2$ où $K$ est une constante spécifique au composant.

Polarisation par rétroaction

Méthode de polarisation spécifique au MOSFET à enrichissement où la tension grille-source est égale à la tension drain-source ($V_{GS} = V_{DS}$).