Física del Estado Sólido y Semiconductores
Call Kai
Learn
Practice Test
Spaced Repetition
Match
Flashcards
Knowt Play1/49
Earn XP
Description and Tags
Conjunto de 50 tarjetas de estudio en formato 'completar el espacio en blanco' sobre la guía de física del estado sólido, semiconductores y dispositivos optoelectrónicos.
50 Terms
La física del estado sólido se enfoca en comprender las propiedades __________ de los materiales en su estado sólido.
electrónicas
En el interior de un sólido, los electrones sufren fuerzas de repulsión por parte de los demás __________.
electrones
La construcción teórica que aporta las herramientas fundamentales para estudiar la física del estado sólido es la __________.
mecánica cuántica
A partir de su conductividad eléctrica, los materiales sólidos se clasifican en conductores, semiconductores y __________.
dieléctricos (aislantes)
Para explicar cómo funciona un semiconductor, se utiliza la teoría de __________ de energía.
bandas
La banda de __________ es el nivel donde los electrones están ligados a los átomos que forman la estructura del material.
valencia
Por encima de la banda de valencia existe la banda de __________, un nivel de mayor energía donde los electrones se mueven libremente.
conducción
Un semiconductor __________ es aquel que se encuentra en estado puro, sin átomos extraños.
intrínseco
En el silicio sólido, los átomos se mantienen unidos mediante enlaces químicos __________.
covalentes
Un electrón salta hacia la banda de conducción cuando absorbe suficiente energía __________.
térmica
Al saltar a la banda de conducción, el electrón deja tras de sí una vacante denominada __________.
hueco
Un hueco se mueve por el cristal del semiconductor como si fuera una carga __________.
positiva
Dado que un semiconductor intrínseco tiene igual número de electrones que de huecos, su relación se expresa como __________.
n=p
Para controlar y aumentar la conductividad de un semiconductor intrínseco se realiza un proceso de __________.
dopaje
Para obtener un semiconductor tipo n, se deben introducir impurezas __________.
donadoras
Tres ejemplos de elementos usados como impurezas donadoras son el fósforo, el arsénico y el __________.
antimonio
En un semiconductor tipo n, la concentración de electrones supera a la de huecos, cumpliéndose que __________.
n>p
Si se introducen impurezas aceptoras en el silicio, se produce un semiconductor tipo __________.
p
Tres ejemplos de impurezas aceptoras mencionadas son el boro, el aluminio y el __________.
galio
Un semiconductor tipo p se caracteriza por una mayor concentración de huecos que de electrones, expresada como __________.
p>n
El principio esencial de los dispositivos electrónicos modernos surge al juntar una región tipo p y una tipo n para formar una __________.
unión p-n
Al formar la unión p-n, los huecos del lado p se difunden hacia el lado n y se __________ con los electrones libres.
recombinan
La delgada capa en la frontera de la unión p-n que queda vacía de portadores móviles se denomina región de __________.
agotamiento
En la región de agotamiento quedan iones fijos positivos pertenecientes a la red cristalina en el lado __________.
n
En la región de agotamiento quedan iones fijos negativos pertenecientes a la red cristalina en el lado __________.
p
La separación de cargas fijas en la región de agotamiento genera un campo eléctrico interno orientado desde el material tipo n hacia el material tipo __________.
p
En condición de equilibrio térmico de la unión p-n, la energía de __________ es igual en ambos lados de la unión.
Fermi
Las corrientes causadas por los procesos de difusión de portadores que logran subir la colina de energía se denominan corrientes de __________.
recombinación
Las corrientes en la unión p-n causadas por el barrido del campo eléctrico interno sobre los pares generados térmicamente se llaman corrientes de __________.
generación
En el equilibrio térmico perfecto, la magnitud de las corrientes de generación y recombinación son iguales, por lo que la corriente neta es __________.
cero
Un dispositivo casi unidireccional que conduce en un sentido y casi nada en el inverso recibe el nombre de diodo __________.
rectificador
Cuando la terminal positiva de la batería se conecta a la región p y la negativa a la región n, la unión p-n está en polarización __________.
directa
En polarización directa, al disminuir la barrera energética, las corrientes de recombinación aumentan de forma __________.
exponencial
Al conectar la terminal positiva a la región n y la negativa a la región p, se aplica una polarización __________.
inversa
La corriente mínima que fluye durante la polarización inversa se conoce como corriente de __________.
saturación
El mecanismo de falla por alto voltaje inverso donde los portadores libres liberan más pares por choque inelástico en reacción en cadena se llama ruptura por __________.
avalancha
El mecanismo de falla por alto voltaje inverso donde los electrones se filtran cuánticamente desde la banda de valencia p hacia la de conducción n es la ruptura de __________.
Zener
Una fotocelda consta de una placa delgada de semiconductor conectada en serie con una fuente de voltaje y un __________.
amperímetro
Una fotocelda actúa como un __________ que detecta luz.
transductor
Para incrementar la conductividad en una fotocelda, los fotones incidentes deben tener una energía mayor o igual a la __________ de energía.
brecha
Cuando los electrones absorben fotones en la fotocelda, se crean masivamente nuevos pares __________.
electrón-hueco
El fenómeno donde una unión p-n atrapa y separa pares electrón-hueco para generar potencia se conoce como efecto __________.
fotovoltaico
En una celda solar, la separación constante de cargas se aprovecha para entregar potencia __________ a un circuito externo.
eléctrica
Un diodo emisor de luz (LED) consiste simplemente en una unión p-n operando bajo polarización __________.
directa
En un LED, cuando un electrón en la unión cae a un hueco liberando energía, emite un __________.
fotón
La energía del fotón emitido por un LED es casi igual a la __________ de energía del material semiconductor.
brecha
El color de luz que emite un LED depende del tamaño de la brecha de energía del __________ semiconductor utilizado.
material
Conforme la luz avanza a una profundidad x en un sólido, su intensidad disminuye de forma __________.
exponencial
La proporción de luz que penetra y sobrevive dentro de un material sólido depende de su coeficiente de __________.
absorción
A diferencia del vidrio flint que tiene un coeficiente de absorción bajo, el __________ posee un coeficiente inmenso que detiene la luz en la superficie.
grafito