Laby elektronika

U(GS)

Napięcie bramka źródło - podstawowe napięcie wejściowe. Reguluje przewodność kanału

U(DS)

Napięcie dren - źródło. Napięcie wyjściowe. Wytwarza pole wzdłużne które wymusza przepływ prądu I(D)

U(P)

Wartość ujemna U(GS), blokuje kanał i zatrzymuje przepływ prądu

U(T)

Występuje w tranzystorach MOSFET z kanałem wzbogacanym, wartość dodatnia U(GS) po przekroczeniu tworzy warstwę inwersyjną i zaczyna lecieć prąd I(D)

U(DSsat)

Napięcie nasycenia, wartość U(DS) przy której kanał przy drenie ulega odcięciu

Unipolarność

Przewodzenie prądu przez tylko jeden typ nośników (elektrony lub dziury)

Zródło (S)

Dren (D)

Bramka (G)

Podłoże (B)

Źródło - stanowi masę (0V) dla napięć U(GS) i U(DS), jest to elektroda przez którą nośniki wpływają do kanału

Dren - Wyprowadzenie prądu I(D), elektroda przez którą nośniki wypływają z kanału

Bramka - Steruje przekrojem lub przewodnością kanału bez poboru prądu I(G)

Podłoże - Jest na nim zbudowany kanał inwersyjny, jest to płytka półprzewodnika

Warstwa inwersyjna

Warstwa podłoża p zmieniająca lokalnie typ na n pod wpływem pola, tworzy kanał w MOSFET wzbogacanym po przekroczeniu U(GS) $>$ U(T)

R(we)

Rezystancja widziana od strony bramki $10^6><10^{16}$ , zapewnia napięciowe sterowanie tranzystorem

Nasycenie tranzystora JFET

Występuje gdy spadek napięcia wzdłuż kanału powoduje odcięcie kanału przy drenie

Musi być spełniony warunek:

U(DS) >= U(GS) - U(P)

Co zachodzi w złączu p-n podczas polaryzacji w kierunku zaporowym?

Rozstanie warstwy zubożonej i blokowanie prądu

Co oznacza znak ujemny na mierniku?

Mierzony punkt ma potencjał niższy niż masa

Rola poprzecznego pola elektrycznego w JFET

Odpychanie elektronów z kanału i regulacja jego szerokości

Warstwa zubożowa

Strefa na styku złącza p-n pozbawiona nośników

Dlaczego warstwa zubozowa w JFET w obszarze nasycenia jest najszersza przy drenie?

Różnica między potencjałów między Bramką a kanałem jest tam największa

Obszar nasycenia

Stan w którym prąd drenu I(D) osiąga stałą wartość sterowaną wyłącznie napięciem bramki U(GS)

Różnica między MOSFET z kanałem zubożanym a MOSFET z kanałem wzbogaconym

Kanał zubożany przewodzi prąd już przy U(GS) = 0V

Kanał wzbogacony zaczyna przewodzić gdy napięcie bramki przekroczy napięcie progowe U(T)

Transkonduktancja g(m)

Przyrost prądu drenu I(D) wywołany przyrostem napięcia bramki U(GS), przy stałym napięciu dren-źródło U(DS).

Odpowiada na wzmocnienie napięciowe układu

g(m)=$\frac{I_{D}}{U_{GS}}$

Typowe wartości to 0,1 - 20 $\frac{mA}{V}$

Konduktancja g(ds)

Stosunek przyrostu prądu drenu I(D) do przyrostu napięcia dren-źródło U(DS) przy stałym napięciu U(GS)

Mierzy nachylenie charakterystyki wyjściowej w obszarze nasycenia

$$g_{ds}=\frac{I_{D}}{U_{DS}}$$